3760-00818半導(dǎo)體的分類及性能：
（1）元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指單一元素構(gòu)成的半導(dǎo)體，其中對硅、錫的研討比擬早。它是由相同元素組成的具有半導(dǎo)體特性的固體資料，容易遭到微量雜質(zhì)和外界條件的影響而發(fā)作變化。目前， 只要硅、鍺性能好，運用的比擬廣，硒在電子照明和光電范疇中應(yīng)用。硅在半導(dǎo)體工業(yè)中運用的多，這主要遭到二氧化硅的影響，可以在器件制造上構(gòu)成掩膜，可以進步半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性，利于自動化工
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3760-00818半導(dǎo)體的分類及性能：
（1）元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指單一元素構(gòu)成的半導(dǎo)體，其中對硅、錫的研討比擬早。它是由相同元素組成的具有半導(dǎo)體特性的固體資料，容易遭到微量雜質(zhì)和外界條件的影響而發(fā)作變化。目前，只要硅、鍺性能好，運用的比擬廣，硒在電子照明和光電范疇中應(yīng)用。硅在半導(dǎo)體工業(yè)中運用的多，這主要遭到二氧化硅的影響，可以在器件制造上構(gòu)成掩膜，可以進步半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性，利于自動化工業(yè)消費。
（2）無機合成物半導(dǎo)體。無機合成物主要是經(jīng)過單一元素構(gòu)成半導(dǎo)體資料，當然也有多種元素構(gòu)成的半導(dǎo)體資料，主要的半導(dǎo)體性質(zhì)有I族與V、VI、VII族；II族與IV、V、VI、VII族；III族與V、VI族；IV族與IV、VI族;V族與VI族；VI族與VI族的分離化合物，但遭到元素的特性和制造方式的影響，不是一切的化合物都可以契合半導(dǎo)體資料的請求。這一半導(dǎo)體主要運用到高速器件中，InP制造的晶體管的速度比其他資料都高，主要運用到光電集成電路、抗核輻射器件中。關(guān)于導(dǎo)電率高的資料，主要用于LED等方面。
（3）有機合成物半導(dǎo)體。有機化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物，把有機化合物和碳鍵垂直，疊加的方式可以構(gòu)成導(dǎo)帶，經(jīng)過化學(xué)的添加，可以讓其進入到能帶，這樣能夠發(fā)作電導(dǎo)率，從而構(gòu)成有機化合物半導(dǎo)體。這一半導(dǎo)體和以往的半導(dǎo)體相比，具有本錢低、溶解性好、資料輕加工容易的特性。能夠經(jīng)過控制分子的方式來控制導(dǎo)電性能，應(yīng)用的范圍比擬廣，主要用于有機薄膜、有機照明等方面。
（4）非晶態(tài)半導(dǎo)體。它又被叫做無定形半導(dǎo)體或玻璃半導(dǎo)體，屬于半導(dǎo)電性的一類資料。非晶半導(dǎo)體和其他非晶資料一樣，都是短程有序、長程無序構(gòu)造。它主要是經(jīng)過改動原子相對位置，改動原有的周期性排列，構(gòu)成非晶硅。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區(qū)別于原子排列能否具有長程序。非晶態(tài)半導(dǎo)體的性能控制難，隨著技術(shù)的創(chuàng)造，非晶態(tài)半導(dǎo)體開端運用。這一制造工序簡單，主要用于工程類，在光吸收方面有很好的效果，主要運用到太陽能電池和液晶顯現(xiàn)屏中。
（5）本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價帶是滿帶，遭到熱激起后，價帶中的局部電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價帶中短少一個電子后構(gòu)成一個帶正電的空位，稱為空穴?？昭▽?dǎo)電并不是實踐運動，而是一種等效。電子導(dǎo)電時等電量的空穴會沿其反方向運動。[5]它們在外電場作用下產(chǎn)生定向運動而構(gòu)成宏觀電流，分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這種由于電子-空穴對的產(chǎn)生而構(gòu)成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會落入空穴，電子-空穴抵消失，稱為復(fù)合。復(fù)合時釋放出的能質(zhì)變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子-空穴對的產(chǎn)生和復(fù)合同時存在并到達動態(tài)均衡，此時半導(dǎo)體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純潔半導(dǎo)體的電阻率較大，實踐應(yīng)用不多。
