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負(fù)性光刻膠,Futurrex-色譜柱

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  • 型號
  • 品牌
  • 所在地
  • 更新時間2020-09-03
  • 廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
  • 入駐年限11
  • 實名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量403
  • 人氣值1576
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負(fù)性光刻膠,Futurrex-色譜柱 產(chǎn)品詳情

負(fù)性光刻膠

品牌:futurrex

產(chǎn)品介紹:

負(fù)性光刻膠分為粘性增強負(fù)性光刻膠、高級加工負(fù)性光刻膠、剝離處理用負(fù)性光刻膠三種。

A、粘性增強負(fù)性光刻膠

粘性增強負(fù)膠的應(yīng)用是在設(shè)計制造中替代基于聚異戊二烯雙疊氮(Polyioprene-Bisazide)的負(fù)膠。粘性增強負(fù)膠的特性是在濕刻和電鍍應(yīng)用時*的粘附力;很容易用光膠剝離器去除,厚度范圍是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波長曝光。

粘性增強負(fù)膠對生產(chǎn)量的影響,消除了基于溶液的顯影和基于溶液沖洗過程的步驟。優(yōu)于傳統(tǒng)正膠的優(yōu)勢:控制表面形貌的優(yōu)異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側(cè)壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到*的分辨率、150 ℃軟烘烤的應(yīng)用可縮短烘烤時間、優(yōu)異的光速度進(jìn)而增強曝光通量、更快的顯影,100 μm的光膠顯影僅需6 ~ 8分鐘、光膠曝光時不會出現(xiàn)光膠氣泡、可將一個顯影器同時應(yīng)用于負(fù)膠和正膠、不必使用粘度增強劑。

i線曝光用粘度增強負(fù)膠系列:NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。

g和h線曝光用粘度增強負(fù)膠系列:NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。

B、高級加工負(fù)膠

高級加工負(fù)膠的應(yīng)用是替代用于RIE加工及離子植入的正膠。高級加工負(fù)膠的特性在RIE加工時優(yōu)異的選擇性以及在離子植入時優(yōu)異的溫度阻抗,厚度范圍是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波長曝光。

高級加工負(fù)膠優(yōu)于正膠的優(yōu)勢是控制表面形貌的優(yōu)異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側(cè)壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到*的分辨率、150 ℃軟烘烤的應(yīng)用可縮短烘烤時間、優(yōu)異的光速度進(jìn)而增強曝光通量、更快的顯影,100 μm的光膠顯影僅需6 ~ 8分鐘、光膠曝光時不會出現(xiàn)光膠氣泡、可將一個顯影器同時應(yīng)用于負(fù)膠和正膠、優(yōu)異的溫度阻抗直至180 ℃、在反應(yīng)離子束刻蝕或離子減薄時非常容易地增加能量密度,從而提高刻蝕速度和刻蝕通量、非常容易進(jìn)行高能量離子減薄、不必使用粘度促進(jìn)劑。

用于i線曝光的高級加工負(fù)膠系列:NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。

  • Negative Etch Resists
  • Thick Negative Resists
  • Negative Lift-Off Resists

負(fù)性光刻膠:
抗蝕刻負(fù)性光刻膠
厚度范圍:0.5 - 200 微米
Performance:
  • 無需使用增粘劑
  • 優(yōu)良的分辨率.
  • 曝光時間短.
  • 顯影時間少.
  • 可以耐180度高溫.
  • 在離子蝕刻制程中有著良好的選擇性.
  • 用RR41易于去膠.
  • 常溫下可保存3年.
應(yīng)用:
  • 有更高的選擇性在離子蝕刻方面 .
  • 適用于高溫工序,例如:離子注入.
厚膠
厚度范圍:8 - 200 微米
特性:
  • 優(yōu)良的分辨率.
  • 烘培時間短.
  • 曝光速率快.
  • 顯影時間短.
  • 粘附性好.
  • 用RR41易于去膠.
  • 常溫下可保存三年.
應(yīng)用:
  • 金屬電鍍工藝:
    • 凸塊倒裝芯片封裝
    • 多級集成電路單元
    • 微系統(tǒng)
    • 感光芯片
    • 厚膜磁頭
  • 深溝平坦化
Lift-off用光刻膠
厚度范圍:0.5 - 40 微米
特性:
  • 良好的分辨率.
  • 烘培時間短.
  • 通過曝光能量易于調(diào)整側(cè)壁的角度.
  • 顯影時間短.
  • 可以耐200度高溫.
  • 在離子蝕刻制程中有著良好的選擇性 .
  • 用RR41易于去膠.
  • 常溫下可保存3年.
應(yīng)用:
  • Lift-off工藝制程:
  • 發(fā)光二極管
  • 砷化鎵集成電路
  • 鐵電存儲器
  • 平板顯示
  • 微系統(tǒng)
  • 感光芯片
  • 生物芯片
關(guān)鍵詞:發(fā)光二極管
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