球差場發(fā)射透射電子顯微鏡 HF5000
200 kV相差校正TEM/STEM，平衡了空間分辨率和傾斜、分析性能
通過單極片實(shí)現(xiàn)0.078 nm的STEM空間分辨率和高樣品傾斜度、高立體角EDX。
透射電子顯微鏡除了延續(xù)了日立公司配備的具有掃描透射電子顯微鏡“HD-2700”的球面像差校正器的功能、自動校正功能，像差校正后的SEM圖像和對稱Dual SDD技術(shù)等特點(diǎn)。還融匯了透射電子顯微鏡HF系列中所積累的技術(shù)。
對于包括用戶在內(nèi)的廣泛用戶，我們提供亞Å級空間分辨率和高分析性能以及更多樣化的觀察和分析方法。
- ※
- 附帶第二顯示器（可選），顯示屏為嵌入式合成界面。
特點(diǎn)
規(guī)格
特點(diǎn)
- 標(biāo)配日立生產(chǎn)的照射系統(tǒng)球差校正器（附自動校正功能）
- 搭載具有高輝度、高穩(wěn)定性的冷場FE電子槍
- 鏡體和電源等的高穩(wěn)定性使機(jī)體的性能大幅度提升
- 觀察像差校正SEM/STEM圖像的同時觀察原子分辨率SE圖像
- 采用側(cè)面放入樣品的新型樣品臺結(jié)構(gòu)以及樣品桿
- 支持高立體角EDX*的對稱配置（對稱Dual SDD*）
- 采用全新構(gòu)造的機(jī)體外殼蓋
- 配備日立生產(chǎn)的高性能樣品桿*
- *
- 選項(xiàng)
高輝度冷場FE電子槍×高穩(wěn)定性×日立制球面像差校正器
以長年積累起來的高輝度冷場FE電子源技術(shù)為基礎(chǔ)，進(jìn)行優(yōu)化，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)電子槍的高度穩(wěn)定性。
此外，還更新了鏡體，電源系統(tǒng)和樣品臺，以支持觀察亞Å圖像，并提升了機(jī)械和電氣穩(wěn)定性，然后與日立公司的球差校正器結(jié)合使用。
不僅可以穩(wěn)定地獲得更高亮度更精密的探頭，而且自動像差校正功能可以實(shí)現(xiàn)快速校正，從而易于發(fā)揮設(shè)備的固有性能。使像差校正可以更實(shí)用。
Si（211）單晶體HAADF-STEM圖像（左）和圖像強(qiáng)度曲線分布（右下）、FFT功率譜（右上）
支持高立體角EDX*的對稱Dual SDD*
支持雙重配置100 mm2 SDD檢測器，以實(shí)現(xiàn)更高的靈敏度和處理能力進(jìn)行EDX元素分析。
由于第二檢測器位于*檢測器的對面位置，因此，幾乎不會因?yàn)闃悠穬A斜，導(dǎo)致X射線中的信號檢測量發(fā)生變化。所以，即使是結(jié)晶性樣品，也不用顧忌信號量，可*按照樣品的方向與位置進(jìn)行元素分析。
此外，對于電子束敏感樣品、低X光輻射量的樣品，除了原子列映射，在低倍、廣視野的高精細(xì)映射等領(lǐng)域也極為有效。
GaAs（110）的原子柱EDX映射
像差校正SEM圖像/STEM圖像 同時觀察
配有標(biāo)配二次電子檢測器，可同時觀察像差校正SEM/STEM圖像。通過同時觀察樣品的表面和內(nèi)部結(jié)構(gòu)，可以掌握樣品的三維構(gòu)造。
在像差校正SEM圖像中，除了可以通過校正球差來提高分辨率之外，還可以獲取更真實(shí)地樣品表面圖像。
Au/CeO2催化劑的SEM/ADF-/BF-STEM圖像（上段）和Au粒子的高分辨率圖像（下段）
規(guī)格
主要規(guī)格
| 項(xiàng)目 | 內(nèi)容 | |
|---|---|---|
| 電子源 | W（310）冷陰極場發(fā)射型 | |
| 加速電壓 | 200 kV、60 kV*1 | |
| 圖像分辨率 | STEM | 0.078 nm（ADF-STEM圖像） |
| TEM | 0.102 nm（晶格像） | |
| 倍率 | STEM | ×20～×8,000,000 |
| TEM | ×100～×1,500,000 | |
| 樣品微動 | 樣品臺 | 偏心測角儀（Eucentric Goniometer）5軸樣品臺 |
| 樣品尺寸 | 3 mm Φ | |
| 移動范圍 | X, Y＝±1.0 mm，Z=±0.4 mm | |
| 樣品傾斜 | α＝±25°、β＝±35°（日立2軸傾斜樣品桿*1） | |
| 像差校正器 | 配有日立照射系統(tǒng)球面像差校正器（標(biāo)配） | |
| 圖像顯示 | PC | Windows® 7 *2 |
| 顯示器 | 27英寸寬屏液晶顯示器（機(jī)體控制顯示器、第二顯示器*1） | |
| 攝像頭 | 標(biāo)配伸縮式攝像頭 屏幕攝像頭*1（用于熒光板觀察） | |
機(jī)體尺寸/重量
| 項(xiàng)目 | 寬度×進(jìn)深×高度（mm） | 重量（kg） |
|---|---|---|
| 鏡體（含電子槍） | 1,060×1,742×2,970 | 1,940 |
| 機(jī)體外殼蓋 | 1,678×1,970×3,157 | 429 |
| 操作臺 | 1,400×819×740 | 132 |
| 擴(kuò)展操作臺*1 | 580×819×740 | 53 |
| FE槽 | 1,041×840×1,317 | 482 |
| V0槽 | 398×630×1,046 | 164 |
| 控制電源 | 1,400×693×816 | 173 |
| 像差校正器電源 | 606×529×1,096 | 81 |
| 排氣系統(tǒng)電源 | 913×663×1,790 | 378 |
| 轉(zhuǎn)向系統(tǒng)電源 | 913×663×1,790 | 394 |
| 配重塊 | 280×130×130 | 23 |
| Gatan控制器*1*3 | 576×648×1,173 | 150 |
| 冷卻水控制裝置 | 470×540×350 | 25 |
| 冷卻水循環(huán)裝置*1*3 | 970×970×1,064 | 95 |
| 干式泵*1 | 252×400×336 | 23 |
| 空壓機(jī)*1 | 275×560×576 | 25 |
安裝條件
| 項(xiàng)目 | 內(nèi)容 | |
|---|---|---|
| 室溫 | 15～23℃（溫度變化：0.2℃/h以內(nèi)） | |
| 濕度 | 40～60% RH | |
| 電源 | 機(jī)體 | 單相AC200～240 V ±10%、50/60 Hz、10 kVA 斷路器容量 50 A |
| 冷卻水循環(huán)裝置*1*3 | 三相AC200 V ±5%、50/60 Hz、30 A | |
| 接地 | D種接地（100 Ω以下） | |
| 冷卻水 | 水量 | 5.1～5.3 L/min 1系統(tǒng)、2.0～2.2 L/min 1系統(tǒng) （水壓0.25 MPa） |
| 水溫 | 16～18℃（變動：±0.1℃以內(nèi)） | |
| 氣體 | SF6 | 99.9%以上、180 k～200 kPa |
| 干氮 | 99.9%以上、0～100 kPa | |
| 壓縮空氣 | 600 k～800 kPa | |
購買之前，請設(shè)置預(yù)定安裝處測量振動、磁場和噪聲，如果超過容許值，請務(wù)必另行咨詢。
關(guān)于容許值，請另行咨詢。
- 備注
- *1：選項(xiàng)。*2：Windows是在美國以及其他國家的注冊的美國Microsoft Corp.商標(biāo)。*3：規(guī)格、尺寸均根據(jù)廠家、型號和配置的不同而會有所不同。
布局示例
※使用上述配置(包含維護(hù)工具），整體設(shè)備總重量約為5,000kg。
※請檢查地面強(qiáng)度（kg/m2）＞3×設(shè)備總重量（kg）/占地面積（m2）。
關(guān)聯(lián)產(chǎn)品分類
- 聚焦離子束
- TEM/SEM樣品的前處理裝置
