P-170是cassette-to-cassette探針式輪廓儀，將行業(yè)的P-17臺式系統(tǒng)的測量性能和經(jīng)過生產(chǎn)驗證的HRP®-260的機械傳送臂相結(jié)合。 這樣的組合為機械傳送臂系統(tǒng)提供了極低的擁有成本，適用于半導體，化合物半導體和相關行業(yè)。 P-170可以對臺階高度、粗糙度、翹曲度和應力進行2D和3D測量，其掃描可達200mm而無需圖像拼接。
該系統(tǒng)結(jié)合了UltraLite®傳感器、恒力控制和超平掃描平臺，因而具備出色的測量穩(wěn)定性。通過點擊式平臺控制、頂視和側(cè)視光學系統(tǒng)以及帶光學變焦的高分辨率相機等功能，程序設置簡便快速。P-170具備用于量化表面形貌的各種濾鏡、調(diào)平和分析算法，可以支持2D或3D測量。并通過圖案識別、排序和特征檢測實現(xiàn)全自動測量。
二、 功能
設備特點
·臺階高度：幾納米至1000μm
·微力恒力控制：0.03至50mg
·樣品全直徑掃描，無需圖像拼接
·視頻：500萬像素高分辨率彩色攝像機
·圓弧校正：消除由于探針的弧形運動引起的誤差
·軟件：簡單易用的軟件界面
·生產(chǎn)能力：通過測序、圖案識別和SECS/GEM實現(xiàn)全自動化
·晶圓機械傳送臂：自動加載75mm至200mm不透明（例如硅）和透明（例如藍寶石）樣品
主要應用
·臺階高度：2D和3D臺階高度
·紋理：2D和3D粗糙度和波紋度
·形狀：2D和3D翹曲和形狀
·應力：2D和3D薄膜應力
·缺陷復檢：2D和3D缺陷表面形貌
工業(yè)應用
·半導體
·化合物半導體
·LED：發(fā)光二極管
·MEMS：微機電系統(tǒng)
·數(shù)據(jù)存儲
·汽車
三、應用案例
·臺階高度
P-170可以提供納米級到1000μm的2D和3D臺階高度的測量。 這使其能夠量化在蝕刻，濺射，SIMS，沉積，旋涂，CMP和其他工藝期間沉積或去除的材料。P-170具有恒力控制功能，無論臺階高度如何都可以動態(tài)調(diào)整并施加相同的微力。 這保證了良好的測量穩(wěn)定性并且能夠精確測量諸如光刻膠等軟性材料。
·紋理：粗糙度和波紋度
P-170提供2D和3D紋理測量并量化樣品的粗糙度和波紋度。軟件濾鏡功能將測量值分為粗糙度和波紋度部分，并計算諸如均方根（RMS）粗糙度之類的參數(shù)。
·外形：翹曲和形狀
P-170可以測量表面的2D形狀或翹曲。這包括對晶圓翹曲的測量，例如半導體或化合物半導體器件生產(chǎn)中的多層沉積期間由于層與層的不匹配是導致這種翹曲的原因。P-170還可以量化包括透鏡在內(nèi)的結(jié)構高度和曲率半徑。
·應力：2D和3D薄膜應力
P-170能夠測量在生產(chǎn)包含多個工藝層的半導體或化合物半導體器件期間所產(chǎn)生的應力。使用應力卡盤將樣品支撐在中性位置并精確測量樣品翹曲。 然后通過應用Stoney方程，利用諸如薄膜沉積工藝的形狀變化來計算應力。2D應力通過在直徑達200mm的樣品上通過單次掃描測量，無需圖像拼接。3D應力的測量采用多個2D掃描，并結(jié)合θ平臺在掃描之間的旋轉(zhuǎn)對整個樣品表面進行測量。
·缺陷復檢
缺陷復查用于測量如劃痕深度之類的缺陷形貌。 缺陷檢測設備找出缺陷并將其位置坐標寫入KLARF文件。 “缺陷復檢”功能讀取KLARF文件、對準樣本，并允許用戶選擇缺陷進行2D或3D測量。
