LS膜分析儀
1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
KSV NIMA為瑞典百歐林科技有限公司旗下的子品牌之一，主要經(jīng)營(yíng)方向?yàn)閱畏肿訉颖∧さ臉?gòu)建與表征工具。LS（Langmuir-Schaefer）膜分析儀為KSV NIMA自主研發(fā)的一款單分子層膜的制備和表征設(shè)備，是LS膜的沉積領(lǐng)域應(yīng)用泛的一款設(shè)備。
LS膜分析儀基本組件與LB膜分析儀相同，但將原有垂直鍍膜頭更換為水平鍍膜頭組件，在所需的堆積密度下，鍍膜頭可以用來(lái)將Langmuir膜水平轉(zhuǎn)移到固體基材上，Langmuir膜的密度，厚度及均勻性等性質(zhì)將會(huì)保留，從而實(shí)現(xiàn)了制備不同組成的多分子層結(jié)構(gòu)的可能。
常規(guī)的LS膜分析儀包含三種型號(hào)的槽體：小型、中型、大型。
2. 工作原理
位于氣-液或液-液界面處不可溶的功能性分子、納米顆粒、納米線或微粒所形成的單分子層可定義為Langmuir膜。這些分子能夠在界面處自由移動(dòng)，具有較強(qiáng)的流動(dòng)性，易于控制其堆積密度，研究單分子層的行為。將材料沉積在淺池（稱頂槽）中的水亞相上，可以得到Langmuir膜。在滑障的作用下，單分子層可以被壓縮。表面壓力即堆積密度可以通過(guò)Langmuir膜分析儀的壓力傳感器進(jìn)行控制。
在進(jìn)行典型的等溫壓縮測(cè)試時(shí)，單分子層先從二維的氣相(G)轉(zhuǎn)變到液相(L)最后形成有序的固相(S)。在氣相中，分子間的相互作用力比較弱；當(dāng)表面積減小，分子間的堆積更為緊密，并開(kāi)始發(fā)生相互作用；在固相時(shí)，分子的堆積是有序的，導(dǎo)致表面壓迅速增大。當(dāng)表面壓達(dá)到值即塌縮點(diǎn)后，單分子層的堆積不再可控。
圖1 單分子層膜狀態(tài)受表面壓力增加的影響
LS膜沉積過(guò)程是將樣品從單分子層中水平拉出（圖2），通過(guò)反復(fù)沉積技術(shù)可制備多層LS膜，親水性及疏水性樣品均可在液相或氣相中沉積為單分子層。
圖2 LS沉積過(guò)程示意圖
3. 技術(shù)參數(shù)
3.1 小型LS膜分析儀（KN 2001）
1. 槽體材質(zhì)：固體燒結(jié)，無(wú)孔PTFE材質(zhì)，快速限位孔固定，可拆卸清洗或更換為多種其他功能性槽體，含雙側(cè)導(dǎo)流槽，內(nèi)置水浴系統(tǒng)接口
2. 框體特性：33 mm槽體高度調(diào)節(jié)，含安全限位開(kāi)關(guān)，含攪拌、pH測(cè)量、樣品注射輔助系統(tǒng)等接口
3. 系統(tǒng)設(shè)計(jì)：模塊化設(shè)計(jì)，可獨(dú)立進(jìn)行表面壓測(cè)量和鍍膜實(shí)驗(yàn)，可原位進(jìn)行表面紅外、表面電勢(shì)、布魯斯特角圖像、界面剪切等測(cè)試
4. 槽體表面積： 98 cm2
5. 槽體內(nèi)部尺寸：195 x 50 x 4 mm（長(zhǎng) x 寬 x高）
6. 滑障速度: 0.1-270 mm/min
7. 滑障速度精度: 0.1 mm/min
8. 測(cè)量范圍：0-150 mN/m
9. 天平負(fù)荷: 1 g，可三維
10. 天平定位調(diào)節(jié)： 360° x 110mm x 45 mm（XYZ）
11. 傳感精度: 4 μN(yùn)/m
12. 表面壓測(cè)試元件： 標(biāo)準(zhǔn)Wilhelmy白金板，W19.62 x H 10mm，符合EN 14370:2004國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。其他選項(xiàng)：Wilhelmy白金板（W10 x H10 mm）、液/液Wilhelmy鉑金板（W19.62 x H7 mm）、Wilhelmy紙板、白金棒
13. Langmuir測(cè)試槽亞相容積：39 ml
14. Langmuir-Blodgett測(cè)試槽亞相容積：57 ml
15. 鍍膜井尺寸：20 x30 x 30 mm（長(zhǎng) x 寬 x高）
16. 基材尺寸：3 x 26 x26 mm或1英寸
17. 鍍膜沖程： 80 mm
18. 鍍膜速度：0.1 – 108 mm/min
19. 電源： 100...240 VAC
20. 頻率： 50...60 Hz
3.2 中型LS膜分析儀（KN 2002）
1. 槽體材質(zhì)：固體燒結(jié)，無(wú)孔PTFE材質(zhì)，快速限位孔固定，可拆卸清洗或更換為多種其他功能性槽體，含雙側(cè)導(dǎo)流槽，內(nèi)置水浴系統(tǒng)接口
2. 框體特性：33 mm槽體高度調(diào)節(jié)，天平可XYZ三維定位調(diào)節(jié)，含安全限位開(kāi)關(guān)，含攪拌、pH測(cè)量、樣品注射輔助系統(tǒng)等接口
3. 系統(tǒng)設(shè)計(jì)：模塊化設(shè)計(jì)，可獨(dú)立進(jìn)行表面壓測(cè)量和鍍膜實(shí)驗(yàn)，可原位進(jìn)行表面紅外、表面電勢(shì)、布魯斯特角圖像、界面剪切等測(cè)試
4. 槽體表面積： 273 cm2
5. 槽體內(nèi)部尺寸：364 x 75 x 4 mm（長(zhǎng) x 寬 x高）
6. 滑障速度: 0.1-270 mm/min
7. 滑障速度精度: 0.1 mm/min
8. 測(cè)量范圍：0-150 mN/m
9. 天平負(fù)荷: 1 g
10. 天平定位調(diào)節(jié)： 360° x 110mm x 45 mm（XYZ）
11. 傳感精度: 4 μN/m
12. 表面壓測(cè)試元件： 標(biāo)準(zhǔn)Wilhelmy白金板，W19.62 x H 10mm，符合EN 14370:2004國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。其他選項(xiàng)：Wilhelmy白金板（W10 x H10 mm）、液/液Wilhelmy鉑金板（W19.62 x H7 mm）、Wilhelmy紙板、白金棒
13. Langmuir測(cè)試槽亞相容積：109 ml
14. Langmuir-Blodgett測(cè)試槽亞相容積：176 ml
15. 鍍膜井尺寸：20 x56 x 60 mm（長(zhǎng) x 寬 x高）
16. 基材尺寸：3 x 52 x56 mm或2英寸
17. 鍍膜沖程： 80 mm
18. 鍍膜速度：0.1 – 108 mm/min
19. 電源： 100...240 VAC
20. 頻率： 50...60 Hz
3.3 大型LS膜分析儀（KN 2003）
1. 槽體材質(zhì)：固體燒結(jié)，無(wú)孔PTFE材質(zhì)，快速限位孔固定，可拆卸清洗或更換為多種其他功能性槽體，含雙側(cè)導(dǎo)流槽，內(nèi)置水浴系統(tǒng)接口
2. 框體特性：33 mm槽體高度調(diào)節(jié)，天平可XYZ三維定位調(diào)節(jié)，含安全限位開(kāi)關(guān)，含攪拌、pH測(cè)量、樣品注射輔助系統(tǒng)等接口
3. 系統(tǒng)設(shè)計(jì)：模塊化設(shè)計(jì)，可獨(dú)立進(jìn)行表面壓測(cè)量和鍍膜實(shí)驗(yàn)，可原位進(jìn)行表面紅外、表面電勢(shì)、布魯斯特角圖像、界面剪切等測(cè)試
4. 槽體表面積： 841 cm2
5. 槽體內(nèi)部尺寸：580 x 145 x 4 mm（長(zhǎng) x 寬 x高）
6. 滑障速度: 0.1-270 mm/min
7. 滑障速度精度: 0.1 mm/min
8. 測(cè)量范圍：0-150 mN/m
9. 天平負(fù)荷: 1 g
10. 天平定位調(diào)節(jié)： 360° x 110mm x 45 mm（XYZ）
11. 傳感精度: 4 μN(yùn)/m
12. 表面壓測(cè)試元件： 標(biāo)準(zhǔn)Wilhelmy白金板，W19.62 x H 10mm，符合EN 14370:2004國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。其他選項(xiàng)：Wilhelmy白金板（W10 x H10 mm）、液/液Wilhelmy鉑金板（W19.62 x H7 mm）、Wilhelmy紙板、白金棒
13. Langmuir測(cè)試槽亞相容積：336 ml
14. Langmuir-Blodgett測(cè)試槽亞相容積：578 ml
15. 鍍膜井尺寸：20 x110 x 110 mm（長(zhǎng) x 寬 x高）
16. 基材尺寸：3 x 106 x106 mm或4英寸
17. 鍍膜沖程： 80 mm
18. 鍍膜速度：0.1 – 108 mm/min
19. 電源： 100...240 VAC
20. 頻率： 50...60 Hz
4. 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)及亮點(diǎn)
4.1 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
1. 專為極度精確測(cè)試設(shè)計(jì)的超敏感表面張力傳感器。鉑金屬板，鉑金屬棒及紙板都可用作探針以滿足不同的需求。
2. 開(kāi)放性的設(shè)計(jì)便于槽體在框架上的放置及不同槽體的快速更換，同時(shí)便于清洗槽體表面。
3. 當(dāng)需要清潔或更換新槽體時(shí)，槽體在框架上的拆卸/放置極其方便。
4. Langmuir-Schaefer槽體是由便于清潔、可靠耐久的整塊純聚四氟乙烯構(gòu)成，其的設(shè)計(jì)能夠防止槽體和鍍膜井發(fā)生泄漏，同時(shí)避免了使用膠水及其他封裝材料造成的潛在污染。
5. 滑障由親水性的迭爾林聚甲醛樹(shù)酯制成，可提高單分子層的穩(wěn)定性。可根據(jù)客戶需要提供疏水性的聚四氟乙烯壓縮滑障。穩(wěn)健的金屬構(gòu)架能夠防止滑障隨著時(shí)間的推移而變形。
6. 對(duì)稱滑障壓縮為標(biāo)準(zhǔn)的均勻壓縮方法，但任意儀器均可實(shí)現(xiàn)單一滑障壓縮。
7. 居中的鍍膜井有利于單分子層LS沉積的均一性。
8. 通過(guò)外部循環(huán)水浴對(duì)鋁制底板進(jìn)行加熱/冷卻，以控制亞相的溫度（水浴為分開(kāi)銷售）。
9. 通過(guò)調(diào)整框架撐腳，可快速而準(zhǔn)確地校準(zhǔn)槽體水平。當(dāng)需要放置顯微鏡時(shí)，框架撐腳也可很容易地從槽體上拆除。
4.2 產(chǎn)品亮點(diǎn)
4.2.1 聯(lián)用或相關(guān)分析技術(shù)
本產(chǎn)品可與界面紅外反射吸收光譜儀(PM-IRRAS)，布魯斯特角顯微鏡(BAM)，界面剪切流變儀（ISR），熒光顯微鏡，X射線等光學(xué)表征技術(shù)聯(lián)用或?qū)悠愤M(jìn)行后續(xù)分析。具體如：
1. 紅外反射吸收光譜(KSV NIMA PM-IRRAS)
2. 石英晶體微天平(Q-Sense QCM-D)
3. 表面等離子共振儀
4. 電導(dǎo)率測(cè)量?jī)x
5. 紫外可見(jiàn)吸收光譜儀
6. 原子力顯微鏡
7. X射線反射器
8. 透射電子顯微鏡
9. 橢圓偏振儀
10. X射線光電子能譜儀等
4.2.2 本公司可提供聯(lián)用儀器簡(jiǎn)介
1. 界面紅外反射吸收光譜儀（PM-IRRAS）
帶極化模塊的界面紅外反射吸收光譜儀主要用來(lái)決定分子的取向和化學(xué)組成。
2. 布魯斯特角顯微鏡（BAM）
可進(jìn)行薄膜的均一性、相行為和形貌的單分子層成像和光學(xué)觀測(cè)。
3. 表面電位測(cè)量?jī)x（SPOT）
使用無(wú)損振蕩板式電容技術(shù)來(lái)監(jiān)測(cè)薄膜的電位變化，從而對(duì)單分子層的電學(xué)性質(zhì)進(jìn)行表征。提供堆積密度和取向等信息，可對(duì)任何Langmuir等溫測(cè)試進(jìn)行補(bǔ)充。
4. 界面剪切流變儀（ISR）
這種的剪切流變儀可以測(cè)量界面處的粘彈性。適用于氣-液或油-水的研究，在控制表面壓的同時(shí)，可對(duì)粘彈性進(jìn)行分析。
5. 產(chǎn)品應(yīng)用
5.1 應(yīng)用范圍
l 生物膜及生物分子間的相互作用
細(xì)胞膜模型（如：蛋白質(zhì)與離子的相互作用）
構(gòu)象變化及反應(yīng)
藥物傳輸及行為
l 有機(jī)及無(wú)機(jī)涂料
具有光學(xué)、電學(xué)及結(jié)構(gòu)特性的功能性材料
新型涂料:納米管、納米線、石墨烯等
l 表面反應(yīng)
聚合反應(yīng)
免疫反應(yīng)、酶-底物反應(yīng)
生物傳感器、表面固定催化劑
表面吸附和脫附
l 表面活性劑及膠體
配方科學(xué)
膠體穩(wěn)定性
乳化、分散、泡沫穩(wěn)定性
l 薄膜的流變性
擴(kuò)張流變
界面剪切流變（與KSV NIMA ISR 聯(lián)用）
5.2 客戶發(fā)表成果（部分）
1. Q. Guo et al., J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 630-631. (IF= 11.444)
2. Kumaki et al., Macromolecules 1988, 21, 749-755. (IF= 5.927)
3. S. Sheiko et al., Nature Materials 2013, 12, 735-740. (IF= 36.4)
4. Q. Zheng et al., ACS Nano 2011, 5(7), 6039–6051. (IF= 12.033)
5. Azin Fahimi et al., CARBON 2013, 64, 435 – 443. (IF=6.16)
6. Xiluan Wang et al., J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 6338–6342. (IF= 11.444)
7. Zhiyuan Zeng et al. Adv. Mater. 2012, 24, 4138–4142. (IF= 15.409)
