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S100/S200/S300 數(shù)字源表在半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試上的應(yīng)用

參考價(jià)訂貨量

1000

≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)S100/S200/S300
  • 品牌普賽斯儀表
  • 所在地武漢市
  • 更新時(shí)間2024-01-02
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限3
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量409
  • 人氣值65587
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同類產(chǎn)品

      武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司,一直專注于半導(dǎo)體的性能測(cè)試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)銷售,致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測(cè)試用科學(xué)儀器的國(guó)產(chǎn)替代需求。

      基于普賽斯電子領(lǐng)X的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號(hào)處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號(hào)處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),公司自主研發(fā)了高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國(guó)產(chǎn)化電性能測(cè)試儀表,以及mini LED測(cè)試系統(tǒng)、電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測(cè)試精度高、速度快、兼容性強(qiáng)、測(cè)試范圍寬、可靠性高、操作簡(jiǎn)便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試、集成電路測(cè)試、高校教學(xué)實(shí)訓(xùn)平臺(tái)等應(yīng)用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案,同時(shí)滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)模化的挑戰(zhàn)。

      普賽斯儀表自主研制的國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測(cè)量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國(guó)內(nèi)嶺先的半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長(zhǎng)期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴(yán)格的質(zhì)量體系及國(guó)際化視野,推出的產(chǎn)品被國(guó)內(nèi)通信巨投和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認(rèn)可和應(yīng)用,是為數(shù)不多進(jìn)入國(guó)際半導(dǎo)體測(cè)試市場(chǎng)供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測(cè)試設(shè)備廠商。未來,公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨,朝著圈球半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表的L跑者邁進(jìn)。







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產(chǎn)地國(guó)產(chǎn) 加工定制
霍爾效應(yīng)是一種電磁感應(yīng)現(xiàn)象,當(dāng)電流垂直于外磁場(chǎng)通過半導(dǎo)體時(shí),載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn),垂直于電流和磁場(chǎng)的方向會(huì)產(chǎn)生一附加電場(chǎng),霍爾效應(yīng)測(cè)試中我們一般測(cè)試霍爾電壓VH、電阻率ρ、霍爾系數(shù)RH、載流子濃度n、霍爾遷移率μH等參數(shù),數(shù)字源表在半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試上的應(yīng)用找普賽斯儀表
數(shù)字源表在半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試上的應(yīng)用 產(chǎn)品詳情

霍爾效應(yīng)測(cè)試

霍爾效應(yīng)是一種電磁感應(yīng)現(xiàn)象,當(dāng)電流垂直于外磁場(chǎng)通過半導(dǎo)體時(shí),載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn),垂直于電流和磁場(chǎng)的方向會(huì)產(chǎn)生一附加電場(chǎng),如下圖所示?;魻栃?yīng)測(cè)試中我們一般測(cè)試霍爾電壓VH、電阻率ρ、霍爾系數(shù)RH、載流子濃度n、霍爾遷移率μH等參數(shù)。

霍爾效應(yīng)

霍爾電壓

首先我們測(cè)試霍爾電壓VH,按下圖連接方式連接電路,施加一個(gè)垂直樣品平面的磁場(chǎng)B,然后點(diǎn)擊設(shè)置——輸出設(shè)置,將源表調(diào)為4線前面板輸出模式,再返回主界面點(diǎn)擊測(cè)量,將源表設(shè)置為電流源模式,設(shè)置源限值,點(diǎn)擊“OUTPUT”,向1至3方向輸入電流,測(cè)試2、4間電壓。

638309740322042344529.png


數(shù)字源表在半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試上的應(yīng)用

注意:在2線模式下搭建和拆除電路,禁止在4線模式下插拔。

測(cè)試中會(huì)受到不等電勢(shì)位、愛廷豪森效應(yīng)、倫斯脫效應(yīng)等因素的影響,為了保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確度,測(cè)試中采取對(duì)稱測(cè)量法。首先我們規(guī)定磁場(chǎng)由下向上為正,電流由1向3為正。具體操作如下:

①、提供正向磁場(chǎng)(+B),正向電流(+I);測(cè)得電壓V1

②、提供正向磁場(chǎng)(+B),反向電流(-I);測(cè)得電壓V2;

③、提供反向磁場(chǎng)(-B),反向電流(-I);測(cè)得電壓V3;

④、提供反向磁場(chǎng)(-B),正向電流(+I);測(cè)得電壓V4;


霍爾電壓為:

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電阻率

測(cè)試電阻率我們使用范德堡技術(shù),給相鄰的兩點(diǎn)提供電流,測(cè)試對(duì)立邊的兩點(diǎn)的電壓,此時(shí)不需要提供磁場(chǎng),具體的操作如下圖9所示。

638134329545085690648.jpg

圖9 范德堡技術(shù)測(cè)試方法



測(cè)試完成后利用測(cè)試所得的數(shù)據(jù)先計(jì)算出電阻率,計(jì)算出兩個(gè)電阻率的值ρA、ρB:



638134329545554425608.jpg


tS是以厘米為單位的樣品的厚度;

V1-V8代表電壓測(cè)量出的電壓;測(cè)得的電壓應(yīng)該小于5V,一般為mV;

I是以安培為單位流過樣品的電流;

fA、fB是基于樣品對(duì)稱性的幾何因數(shù),如果樣品玩美對(duì)稱則fA=fB=1,我們測(cè)試中一般選擇正方形的樣品,正方形是玩美對(duì)稱的。

如果ρA、ρB相差大于10%,則測(cè)試的樣品不夠均勻,那使用范德堡技術(shù)就不能準(zhǔn)確的確定電阻率,要放棄該方法測(cè)試。


其他參數(shù)

霍爾系數(shù)RH

638134329551188479515.jpg


載流子濃度n:

載流子濃度計(jì)算公式.jpg


霍爾遷移率μH:

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VH為3.1中測(cè)試的電壓、tS為樣品的厚度、B為3.1測(cè)試中提供的磁場(chǎng),I為3.1中提供的電流,ρ為3.2中測(cè)試所得的電阻率。通過上面的計(jì)算公式,我們可以將霍爾系數(shù)RH、載流子濃度n、霍爾遷移率μH都計(jì)算出

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