.4.1波形面積比較（AREA SIZE） 在任意的區(qū)間內(nèi)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)線圈和被測(cè)線圈波形面積進(jìn)行比較。 如圖1.3.2_1所示，計(jì)算出A-B區(qū)間內(nèi)的面積，判定兩者面積相差的程度。 判定的標(biāo)準(zhǔn)用百分比（％）進(jìn)行設(shè)定，計(jì)算結(jié)果在范圍內(nèi)的為合格品。 區(qū)間內(nèi)面積的大小，大體與線圈內(nèi)能量損耗成比例，故能以此判斷能量損耗的大小。 例如被測(cè)線圈有匝間短路時(shí)，短路部分的反映是能量的損失增大。 1.4.2波形差面積比較(DIFFERENTIAL AREA) 在任意區(qū)間內(nèi)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)線圈和被測(cè)線圈波形偏差部分的面積與標(biāo)準(zhǔn)線圈波形面積進(jìn)行比較。 如圖1.3.2_2所示，計(jì)算出A-B區(qū)間內(nèi)面積差，對(duì)比標(biāo)準(zhǔn)波形（同圖1.3.2_1）判定偏差的程度。 判定的標(biāo)準(zhǔn)用百分比（％）進(jìn)行設(shè)定，結(jié)果在范圍內(nèi)的為合格品。 波形偏差面積的大小表示電感值以及能量損耗程度的總和。 此方法可較全面地檢查線圈的電感L值及能量損失。 1.4.3波形電暈量比較 (FLUTTER VALUE) 在任意的區(qū)間內(nèi)，對(duì)被測(cè)線圈的電暈放電量與設(shè)定值進(jìn)行比較。 如圖1.3.2_3所示，基本忽略波形差異，在任意的A－B區(qū)間內(nèi)，僅在被測(cè)線圈實(shí)測(cè)波形包含的電暈放電尖峰中檢出高頻成分進(jìn)行面積(積分)計(jì)算，并將計(jì)算結(jié)果與設(shè)定值進(jìn)行比較，判定電暈放電量是否合格。 可以認(rèn)為該量是模擬方式中檢出的通過(guò)高頻濾波器的量值。 1.4.4 波形相位 (過(guò)零點(diǎn))比較(ZERO CROSS) 在任意的區(qū)間內(nèi)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)線圈和被測(cè)線圈波形振蕩周期進(jìn)行比較。 如圖1.3.2_4所示，任意的A－B區(qū)間內(nèi)，計(jì)算被測(cè)線圈實(shí)測(cè)波形在該區(qū)間內(nèi)的振蕩周期，并與標(biāo)準(zhǔn)波形在該區(qū)間內(nèi)的振蕩周期進(jìn)行比較，并用這兩個(gè)量的百分比作為判定依據(jù)，基準(zhǔn)用百分比來(lái)設(shè)定。 由于波形的振蕩周期與線圈的電感L密切相關(guān)，此方法可偏重于檢查線圈的電感L值。

型 號(hào)ZYG211-01 型ZYG211-03 型ZYG211-05 型ZYG211-10 型 脈沖電壓范圍50V~1KV300V~3KV500V~5KV1KV~10KV 脈沖電壓精度±5%±5V±5%±15V±5%±25V±5%±50V 脈沖電壓步進(jìn)20V50V100V200V 測(cè)量速度約6次/秒 高壓源控制開(kāi)關(guān)電源由MCU控制 沖擊次數(shù)單次EXT（含多次1~99次）、連續(xù)INT 觸發(fā)方式手控Manual、腳控Foot control、PC 檢測(cè)判斷模式面積；面積差；電暈放電量；相位 聲響方式合格聲響；不合格聲響； 存儲(chǔ)波形能力100個(gè)波形及其參數(shù) 波形分辨率A/D：8位；采樣速度：50nS（20MHz）；波形點(diǎn)數(shù)：250 液晶顯示分辨率：320×240；5.1英寸；藍(lán)底白字 功率40W50W 電源輸入220VAC±10% 50Hz±5% 重量約7.2Kg約10Kg 尺寸320(W)×170(H)×350(D) 環(huán)境條件使用溫度：10℃——30℃；使用濕度：20%——80%RH 存儲(chǔ)溫度： 5℃——40℃：存儲(chǔ)濕度： 5%——90%RH 特殊功能及參數(shù)按用戶(hù)要求定制

設(shè)備要求庫(kù)存1臺(tái)；

客戶(hù)提供測(cè)試要求和測(cè)試精度等級(jí)，定制或是現(xiàn)貨交易！設(shè)備購(gòu)買(mǎi)已含稅報(bào)價(jià)為準(zhǔn)；