陣列式位敏探測器，16個(gè)一維PSD組成，用于高速三維輪廓測量
SiTek位置敏感探測器陣列(型號(hào)：1LA16-2,5_SU89)的規(guī)格參數(shù)表：
| 機(jī)械性能規(guī)格 | ||
| 規(guī)格 | 參數(shù) | 單位 |
| 分段數(shù)量Number of segments | 16 | |
| 每個(gè)分段的有效區(qū)域 | 2,5 x 0,39 | mm2 |
| 分段之間的間隙 | 10 | um |
| 電子技術(shù)規(guī)格 | |||||
| 規(guī)格 | 標(biāo)記Symbol | 最小值Min. | 典型Typ. | Max. | 單位Unit |
| 位置非線性 | | | 0.1 | 0.2 | % |
| 探測器電阻 | Rdet | 15 | 25 | 35 | k? |
| 漏電流 | Id | | 2 | 10 | nA |
| 噪音電流 | Inoise | | 0.8 | 1.1 | pA/√Hz |
| 響應(yīng)Responsivity | r | | 0.63 |
| A/W |
| 電容 | Cj | | 4 | 4.4 | pF |
| 上升時(shí)間(10%-90%) | tr | | 70 | 100 | ns |
| 交互式交流Cross talk | | | 0.5 | 1.0 | % |
| 偏置電壓(反向) | VR | 5 | 15 | 20 | V |
| 熱漂移 | | | 20 | 100 | ppm/°C |
| 額定值A(chǔ)bsolute maximum ratings | |||
| 規(guī)格 | 標(biāo)記Symbol | 參數(shù) | 單位 |
| 反向電壓Reverse voltage | VR-max | 30 | V |
| 工作溫度 | Toper | 70 | oC |
| 儲(chǔ)存溫度 | Tstg | 100 | oC |
測試條件：室溫23oC，偏置電壓15 V，光源波長940nm，位置非線性和熱漂移在探測器長度的80%范圍內(nèi)有效。
封裝：34針引腳DIP陶瓷基板，21.6x15.0mm2，帶保護(hù)窗。
陣列式PSD具有的內(nèi)置雜散光消除功能，而且SiTek位置敏感探測器陣列除了三維測量應(yīng)用，還可與線激光器或多束激光器一起使用，是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。
SiTek位置敏感探測器陣列(PSD-Array)也叫陣列式位敏探測器，由瑞典SiTek生產(chǎn)，主要是由同一芯片上的16個(gè)平行一維PSD元件組成，只有一個(gè)型號(hào)，是1LA16-2,5_SU89。另外，SiTek探測器利用三角測量技術(shù)，激光線或多個(gè)激光點(diǎn)在陣列式PSD上的反射將提供有關(guān)被照物體輪廓的信息，陣列式位敏探測器可以同時(shí)讀出16個(gè)元件，而且每個(gè)元件的響應(yīng)速度都很快，因此非常適合高速三維輪廓測量和平行移動(dòng)物體（如懸臂）的測量等應(yīng)用。為確保高靈敏度，陣列探測器元件之間的間隙已最小化，使填充因子超過97%，同時(shí)還具有低串?dāng)_和與SiTek其他一維PSD相同的高線性度。
另外，為了在雜散光條件下也能保持性能，SiTek位敏探測器陣列采用了SiTek的內(nèi)置雜散光消除功能，這一設(shè)計(jì)消除了雜散光導(dǎo)致的速度和線性度下降。PSD陣列采用34針引腳雙列直插式陶瓷封裝，測量長度為2.5mm，還可以定制設(shè)計(jì)任何長度和數(shù)量的PSD元件。
SiTek 1LA16-2,5_SU89是一個(gè)陣列式位敏探測器，在同一芯片上有16個(gè)并行的一維PSD，這樣就能同時(shí)從16個(gè)分段讀出位置，并在各分段之間以較低的串?dāng)_進(jìn)行高速三維輪廓測量，每個(gè)分段都具有與SiTek標(biāo)準(zhǔn)一維PSD相同的高線性度和高速度。SiTek PSD陣列探測器具有SiTek的內(nèi)置雜散光消除功能，這一設(shè)計(jì)消除了雜散光導(dǎo)致的速度和線性度下降。而且，PSD陣列可與線激光器或多束激光器一起使用。
圖1：陣列式位敏探測器圖示
SiTek位置敏感探測器陣列主要應(yīng)用：
- 3D測量
- 高速三維輪廓測量
- 平行移動(dòng)物體（如懸臂）的測量
圖2：應(yīng)用實(shí)例圖示
SiTek位置敏感探測器陣列的尺寸圖示：
