半導(dǎo)體器件功率分析儀特點(diǎn)和優(yōu)勢:
單臺Z大3500V輸出;
單臺Z大1000A輸出,可并聯(lián)后Z大4000A;
15us的超快電流上升沿;
同步測量;
國標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測試;
可定制夾具;
納安級電流和uΩ級電阻測量;
測試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等
測試夾具
針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,普賽斯提供
整套測試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測試。
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對半導(dǎo)體器件功率分析儀感興趣,歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們