800V架構帶來的直接性能提升，疊加供給端、應用端、成本端多重利好，推動新能源汽車成為SiC未來5年核心應用陣地。
IGBT功率半導體器件主要測試參數
近年來IGBT成為電力電子領域中尤為矚目的電力電子器件,并得到越來越廣泛的應用,那么IGBT的測試就變的尤為重要了。lGBT的測試包括靜態(tài)參數測試、動態(tài)參數測試、功率循環(huán)、HTRB可靠性測試等,這些測試中蕞基本的測試就是靜態(tài)參數測試。
隨著半導體制程工藝不斷提升，測試和驗證也變得更加重要。通常，主要的功率半導體器件特性分為靜態(tài)特性、動態(tài)特性、開關特性。靜態(tài)參數特性主要是表征器件本征特性指標，與工作條件無關的相關參數，如很多功率器件的的靜態(tài)直流參數（如擊穿電壓V(BR)DSS、漏電流I CES/IDSS/IGES/IGSS、閾值電壓VGS(th)、跨導Gfs、壓降VF 、導通內阻RDS(on)）等。 功率半導體器件是一種復合全控型電壓驅動式器件，兼有高輸入阻抗和低導通壓降兩方面的優(yōu)點；同時半導體功率器件的芯片屬 于電力電子芯片，需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下，對芯片的可靠性要求較高，這給測試帶來了一定的困難。市面 上傳統(tǒng)的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求，但是寬禁帶半導體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術卻 極大擴展了高壓、高速的分布區(qū)間。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性，這就對器件的測試工具提出更 為嚴苛的挑戰(zhàn)。
普賽斯IGBT功率半導體器件靜態(tài)參數測試解決方案
PMST系列功率器件靜態(tài)參數測試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設計、精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數表征和測試，并具有優(yōu)秀的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。功率半導體參數測試設備+分析儀器就找普賽斯儀表
針對用戶不同測試場景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數測試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數產線半自動化測試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數產線全自動化測試系統(tǒng)三款功率器件靜態(tài)參數測試系統(tǒng)。
從實驗室到小批量、大批量產線的全覆蓋
從Si IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆蓋
從晶圓、芯片、器件、模塊到IPM的全覆蓋
產品特點
1、高電壓、大電流
具有高電壓測量/輸出能力，電壓高達3500V（蕞大可擴展至10kV）
0.1％精度測量
四線制測試
3、模塊化配置
可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元
系統(tǒng)預留升級空間，后期可添加或升級測量單元
4、測試效率高
內置專用開關矩陣，根據測試項目自動切換電路與測量單元
支持國標全指標的一鍵測試
5、軟件功能豐富
上位機自帶器件標準參數測試項目模板，可直接調取使用
支持曲線繪制
自動保存測試數據，并支持EXCEL格式導出
開放的標準SCPI指令集，可與第三方系統(tǒng)集成
6、擴展性好
支持常溫及低溫、高溫測試
可靈活定制各種夾具
可與探針臺，溫箱等第三方設備聯(lián)動使用
功率半導體參數測試設備+分析儀器特色與性能優(yōu)勢
1、大電流輸出響應快，無過沖
采用自主開發(fā)的高性能脈沖式大電流源、高壓源，輸出建立過程響應快、無過沖。測試過程中，大電流典型上升時間為15μs， 脈寬在50~500μs之間可調。采用脈沖大電流的測試方式，可有 效降低器件因自身發(fā)熱帶來的誤差。
2、高壓測試支持恒壓限流，恒流限壓模式
采用自主開發(fā)的高性能高壓源，輸出建立與斷開響應快、無過沖。在擊穿電壓測試中，可設定電流限制或者電壓限值，防止 器件因過壓或過流導致?lián)p壞。
規(guī)格參數
