特點(diǎn) | 優(yōu)勢(shì) |
| 將源測(cè)量單元、C-V 單元和超快脈沖 I-V 單元無(wú)縫結(jié)合的一體化系統(tǒng) | 快速、清晰和準(zhǔn)確地執(zhí)行 I-V 特性分析、交流阻抗測(cè)量、波形捕獲和瞬態(tài) I-V 測(cè)量 |
| Clarius™ 基于 GUI 的軟件，支持觸摸或鼠標(biāo)控制 | 高級(jí)測(cè)試定義、參數(shù)分析、圖形繪制和自動(dòng)化功能，實(shí)現(xiàn)清晰、的測(cè)量和分析 |
| 內(nèi)置上下文相關(guān)的測(cè)量視頻和 450 多種應(yīng)用測(cè)試 | 快速啟動(dòng)測(cè)試及提供測(cè)量幫助和故障排除向?qū)?/td> |
| I-V 源測(cè)量單元 (SMU) | ±210 V / 100 mA 或 ±210 V / 1 A 模塊，100 fA 測(cè)量分辨率，以及帶可選前放的 0.1 fA 測(cè)量分辨率 |
| C-V 多頻率電容單元 (CVU) | 交流阻抗測(cè)量（C-V、C-f、C-t），1 kHz – 10 MHz 頻率范圍 |
| I-V/C-V 多通道開(kāi)關(guān)模塊 (CVIV) | 在 I-V 和 C-V 測(cè)量之間輕松切換或?qū)?C-V 測(cè)量移至任何終端，而無(wú)需重新布線或抬起探針 |
| 脈沖式 I-V 超快脈沖測(cè)量單元 (PMU) | 兩個(gè)獨(dú)立或同步的高速脈沖式 I-V 源和測(cè)量通道；200 MSa/s，5 ns 采樣率；利用可選的前放將電流靈敏度擴(kuò)大到幾十皮安 |
| 高電壓脈沖發(fā)生器單元 (PGU) | 兩通道高速脈沖電壓源；±40 V (80 V p-p)，±800 mA |
| 可定制和升級(jí) | 現(xiàn)在或以后均可根據(jù)需要隨時(shí)添加模塊 |
參數(shù)查看，快速清晰。
大膽發(fā)現(xiàn)從未如此容易。 4200A-SCS 參數(shù)分析儀可將檢定和測(cè)試設(shè)置的復(fù)雜程度降低高達(dá) 50%，提供清晰且不折不扣的測(cè)量和分析功能。 另外，嵌入式測(cè)量專(zhuān)業(yè)知識(shí)（業(yè)界）可提供測(cè)試指南并讓您對(duì)結(jié)果充滿(mǎn)信心。
特點(diǎn)
- 內(nèi)置測(cè)量視頻采用英語(yǔ)、中文、日語(yǔ)和韓語(yǔ)
- 使用數(shù)百個(gè)用戶(hù)可修改應(yīng)用測(cè)試開(kāi)始您的測(cè)試
- 自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取、數(shù)據(jù)繪圖、算數(shù)函數(shù)
測(cè)量、 切換、 重復(fù)。
4200A-CVIV 多通道切換模塊自動(dòng)在 I-V 和 C-V 測(cè)量之間切換，無(wú)需重新布線或抬起探頭端部。 與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品不同，四通道 4200A-CVIV 顯示器提供本地可視查看，可快速完成測(cè)試設(shè)置，并在出現(xiàn)意想不到的結(jié)果時(shí)輕松排除故障。
特點(diǎn)
- 無(wú)需重新布線即可將 C-V 測(cè)量移動(dòng)到任何設(shè)備終端
- 用戶(hù)可配置低電流功能
- 個(gè)性化輸出通道名稱(chēng)
- 查看實(shí)時(shí)測(cè)試狀態(tài)
檢定、 自定義、 。
簡(jiǎn)單地說(shuō)，4200A-SCS 可以自定義且全面升級(jí)，您可以對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備、新材料、有源/無(wú)源組件、晶片級(jí)可靠性、故障分析、電化學(xué)或幾乎任何類(lèi)型的樣本執(zhí)行電氣檢定和評(píng)估。
特點(diǎn)
- NBTI/PBTI 測(cè)試
- 隨機(jī)電報(bào)噪聲
- 非易失內(nèi)存設(shè)備
- 穩(wěn)壓器應(yīng)用測(cè)試
帶分析探測(cè)器和低溫控制器的集成解決方案。
4200A-SCS 參數(shù)分析儀支持許多手動(dòng)和半自動(dòng)晶片探測(cè)器和低溫控制器，包括 Cascade MicroTech、Lucas Labs/Signatone、MicroManipulator、Wentworth Laboratories、LakeShore Model 336 低溫控制器。
特點(diǎn)
- “點(diǎn)擊”測(cè)試定序
- “手動(dòng)”探測(cè)器模式測(cè)試探測(cè)器功能
- 假探測(cè)器模式無(wú)需移除命令即可實(shí)現(xiàn)調(diào)試
降低成本并保護(hù)您的投資
吉時(shí)利保障計(jì)劃以按需服務(wù)事件的一小部分成本提供快速、高質(zhì)量的服務(wù)。 只需點(diǎn)擊一下或一個(gè)電話(huà)即可獲得維修服務(wù)，在此過(guò)程中，無(wú)需報(bào)價(jià)或填寫(xiě)采購(gòu)單，也不會(huì)有審批延誤。
了解詳情
| 產(chǎn)品技術(shù)資料 | 型號(hào) | 說(shuō)明 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|
| 查看規(guī)格書(shū) | 4200A-SCS-PK1 高分辨率 IV 套件 | 210V/100mA，0.1 fA 分辨率 對(duì)于兩端和三端設(shè)備，MOSFET、CMOS 檢定套件 4200A-SCS-PK1 包括：
| 索取報(bào)價(jià) |
| 查看規(guī)格書(shū) | 4200A-SCS-PK2 高分辨率 IV 和 CV 套件 | 210V/100mA，0.1 fA 分辨率，1kHz - 10MHz 對(duì)于高 K 電解質(zhì)，深亞微米 CMOS 檢定套件 4200A-SCS-PK2 包括：
| 索取報(bào)價(jià) |
| 查看規(guī)格書(shū) | 4200A-SCS-PK3 高分辨率和高功率 IV 和 CV 套件 | 210V/1A，0.1 fA 分辨率，1kHz - 10MHz 對(duì)于功率設(shè)備、高 K 電解質(zhì)，深亞微米 CMOS 設(shè)備檢定套件 4200A-SCS-PK3 包括：
| 索取報(bào)價(jià) |
| 查看規(guī)格書(shū) | 4200-BTI-A 超快 NBTI/PBTI 套件 | 用于使用 CMOS 技術(shù)套件進(jìn)行復(fù)雜的 NBTI 和 PBTI 測(cè)量 4200-BTI-A 包括：
| 索取報(bào)價(jià) |
半導(dǎo)體可靠性
在執(zhí)行復(fù)雜的可靠性測(cè)試時(shí)，4200A-SCS 可以幫您處理復(fù)雜的編碼工作。 內(nèi)含熱載波注入劣化 (HCI) 等項(xiàng)目，使您能夠快速開(kāi)始設(shè)備分析。
評(píng)估 MOSFET 設(shè)備的熱載波感應(yīng)劣化
特點(diǎn)
- 只需一組測(cè)試，即可滿(mǎn)足您的直流 I-V、C-V 和脈沖測(cè)量需求
- 支持多種探頭站和外部?jī)x器
- 循環(huán)系統(tǒng)易于使用，允許在無(wú)需編碼的情況下重復(fù)測(cè)試
提供適合高阻抗應(yīng)用的 C-V 測(cè)量功能
采用 Keithley 的自定義極低頻 C-V 技術(shù)分析高電阻樣本的電容。 該技術(shù)可通過(guò)僅使用源測(cè)量單元 (SMU) 儀器實(shí)現(xiàn)應(yīng)用，同時(shí)可與 4210-CVU 結(jié)合使用，執(zhí)行更高頻率測(cè)量。
4200A-SCS 參數(shù)分析儀可在高阻抗設(shè)備上執(zhí)行極低頻電容-電壓測(cè)量
簡(jiǎn)化 MOSFET/MOSCAP 設(shè)備檢定的提示和技術(shù)
特點(diǎn)
- .01 ~ 10 Hz 頻率范圍，1 pF ~ 10 nF 靈敏度
- 3½ 位典型分辨率，最小典型值 10 fF
非易失內(nèi)存
通過(guò)全面脈沖 I-V 檢定在測(cè)試中利用新技術(shù)。 4200A-SCS 為 NVRAM 技術(shù)提供支持和即用型測(cè)試，從浮動(dòng)門(mén)電路閃存到 ReRAM 和 FeRAM，不一而足。 電流和電壓雙源和測(cè)量功能同時(shí)支持瞬態(tài)和 I-V 域檢定。
非易失內(nèi)存技術(shù)脈沖 I-V 檢定
VCSEL 測(cè)試
4200A-SCS 中的多個(gè)并行源測(cè)量單元 (SMU) 儀器可簡(jiǎn)化激光二極管測(cè)試。 僅使用一臺(tái)機(jī)器連接即可生成 LIV（光強(qiáng)-電流-電壓）曲線。 高級(jí)探頭站和開(kāi)關(guān)支持使您能夠使用相同的儀器對(duì)單個(gè)二極管或整個(gè)陣列進(jìn)行晶圓生產(chǎn)測(cè)試。 SMU 可配置為高達(dá) 21 W 容量，適用于多種連續(xù)波 (CW) VCSEL 應(yīng)用。
納米級(jí)設(shè)備檢定
4200A-SCS 的集成儀器功能可簡(jiǎn)化碳納米管等納米級(jí)電子器件開(kāi)發(fā)方面的測(cè)量要求。 從預(yù)配置測(cè)試項(xiàng)目開(kāi)始著手，逐步擴(kuò)大您的研究工作范圍。 SMU 的脈沖源模式可幫助緩解過(guò)熱問(wèn)題，數(shù)秒內(nèi)即可完成與低電壓 C-V 和超快速脈沖直流測(cè)量的組合。
碳納米管晶體管 (CNT FET) 的電氣檢定
材料電阻率
使用集成了 SMU 的 4200A-SCS，可通過(guò)四點(diǎn)同軸探頭或范德堡法輕松測(cè)量電阻率。內(nèi)含測(cè)試可自動(dòng)重復(fù)執(zhí)行范德堡計(jì)算，節(jié)省您寶貴的研究時(shí)間。10aA 的電流分辨率和大于 1016 歐姆的輸入阻抗可提供更準(zhǔn)確和精準(zhǔn)的結(jié)果。
4200A-SCS 參數(shù)分析儀和四點(diǎn)同軸探頭可用于執(zhí)行半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)量
4200A-SCS 參數(shù)分析儀可用于執(zhí)行范德堡和霍爾電壓測(cè)量
MOSFET 檢定
4200A-SCS 可容納所有必要的儀器，用于通過(guò)組件或晶圓測(cè)試執(zhí)行全面的 MOS 設(shè)備檢定。 內(nèi)含測(cè)試和項(xiàng)目可以解決 MOSCap 的氧化物厚度、門(mén)限電壓、摻雜濃度、移動(dòng)離子濃度等問(wèn)題。 只需觸摸一個(gè)儀器盒中的按鈕，即可運(yùn)行所有這些測(cè)試。
4200A-SCS 參數(shù)分析儀可用于執(zhí)行 MOS 電容 C?V 檢定
| 產(chǎn)品技術(shù)資料 | 模塊 | 說(shuō)明 | 配置和報(bào)價(jià) |
|---|---|---|---|
| 查看規(guī)格書(shū) | 4200-BTI-A | 超快速 BTI 包 | 配置與報(bào)價(jià) |
| 查看規(guī)格書(shū) | 4200-PA | 遠(yuǎn)程預(yù)放大器模塊 | 配置與報(bào)價(jià) |
| 查看規(guī)格書(shū) | 4200-SMU | 中功率源測(cè)量單位 | 配置與報(bào)價(jià) |
| 查看規(guī)格書(shū) | 4200A-CVIV | I-V/C-V 多開(kāi)關(guān)模塊 | 配置與報(bào)價(jià) |
| 查看規(guī)格書(shū) | 4210-CVU | 電容-電壓?jiǎn)挝?/td> | 配置與報(bào)價(jià) |
| 查看規(guī)格書(shū) | 4210-SMU | 大功率源測(cè)量單元 | 配置與報(bào)價(jià) |
| 查看規(guī)格書(shū) | 4220-PGU | 高電壓脈沖發(fā)生器單元 | 配置與報(bào)價(jià) |
| 查看規(guī)格書(shū) | 4225-PMU | 超快速脈沖測(cè)量單位 | 配置與報(bào)價(jià) |
| 查看規(guī)格書(shū) | 4225-RPM | 遠(yuǎn)程預(yù)放大器/開(kāi)關(guān)模塊 | 配置與報(bào)價(jià) |
| 查看規(guī)格書(shū) | 4200-SMU-R | 可現(xiàn)場(chǎng)更換的 MPSMU | 配置與報(bào)價(jià) |
| 查看規(guī)格書(shū) | 4210-SMU-R | 可現(xiàn)場(chǎng)更換的 HPSMU | 配置與報(bào)價(jià) |
