scia mill 300-儀表網(wǎng)

公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

北京歐唐科技發(fā)展有限公司（歐唐科技），成立于2007年，致力于光學(xué)精密制造與檢測(cè)領(lǐng)域，歐唐科技有著幾十年的光學(xué)領(lǐng)域研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，與業(yè)內(nèi)經(jīng)驗(yàn)豐富的專(zhuān)家保持良好的合作關(guān)系，可以為相關(guān)領(lǐng)域提供技術(shù)咨詢(xún)服務(wù)我們不僅代理儀器設(shè)備與軟件，同時(shí)也應(yīng)客戶(hù)的需求，研發(fā)定制的儀器與裝置。

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線(xiàn)詢(xún)價(jià)

scia Mill 300適合針對(duì)直徑達(dá)300 mm的各種基底材料的離子束刻蝕。該系統(tǒng)對(duì)活性氣體相容，能夠進(jìn)行反應(yīng)蝕刻工藝以提高刻蝕選擇比和刻蝕速率，并可配備不同的終點(diǎn)檢測(cè)裝置以精確地控制工藝過(guò)程。scia Mill 300采用靈活的模塊化設(shè)計(jì)，既可用于盒式裝載的大批量生產(chǎn)，也可用于單基板裝載的小規(guī)模生產(chǎn)。

scia mill 300 產(chǎn)品詳情

名詞解釋

離子束刻蝕IBE/IBM：使用惰性氣體準(zhǔn)直離子束進(jìn)行表面結(jié)構(gòu)或材料去除

反應(yīng)離子束蝕刻RIBE：將反應(yīng)氣體引入離子束源，用于表面反應(yīng)蝕刻

化學(xué)輔助離子束蝕刻CAIBE：使用獨(dú)立于離子束的反應(yīng)氣體對(duì)表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)以輔助蝕刻

常規(guī)屬性

- 可進(jìn)行離子束刻蝕（IBE、IBM）、反應(yīng)離子束刻蝕（RIBE）和化學(xué)輔助離子束刻蝕（CAIBE）

- 刻蝕角度調(diào)整：樣品臺(tái)可以旋轉(zhuǎn)且傾斜可調(diào)

- 即使不使用修正擋板，也可獲得的均勻性

- 可使用反應(yīng)氣體以提高刻蝕速率，并控制刻蝕選擇比

- 通過(guò)基于SIMS（二次離子質(zhì)譜）或光學(xué)的截止點(diǎn)探測(cè)技術(shù)控制工藝

- 可以刻蝕光刻膠晶圓，具有良好的樣品冷卻配置

- 在不同的組合式布局中可以進(jìn)行全自動(dòng)載具操作，包括SECS/GEM通訊。

- 重點(diǎn)應(yīng)用：

表面浮雕光柵SRG的制造，用于AR、MR的器件

隧道磁阻（TMR）傳感器用磁性多層膜

紅外傳感器用超薄鉭酸鋰的制備

集成電路芯片器件的逆向工程

系統(tǒng)性能

scia mill 300
樣品尺寸	Ф300mm
樣品夾具	水冷，氦背板冷卻轉(zhuǎn)速：1 - 20 rpm 傾斜：0° - 175° 步長(zhǎng)：0.1°
離子源	450mm圓形射頻源RF450-e
中和器	射頻等離子體橋中和器N-RF
參考刻蝕速率	Pt: 35 nm/min Cu: 44 nm/min W: 17 nm/min SiO2: 20 nm/min（惰性） SiO2: 40-60 nm/min （反應(yīng)
刻蝕均勻性	≦ 2.5% (σ/mean)
產(chǎn)能	12 Wafer/h (100 nm SiO2 去除)
基礎(chǔ)真空度	5 x 10-7 mbar
尺寸（不含電柜與真空泵）	2.7 m x 1.5 m x 2.0 m （1個(gè)工作倉(cāng) + 單晶圓載具LoadLock）
軟件界面	SECS II / GEM, OPC

可配置選項(xiàng)

- 單片 Load-Lock（可選）；組合式布局可至3個(gè)工作倉(cāng)和晶圓載具

- 光學(xué)截止點(diǎn)探測(cè)器OES 或二次離子質(zhì)譜截止點(diǎn)探測(cè)器SIMS

關(guān)鍵詞：二次離子質(zhì)譜傳感器真空泵

熱門(mén)產(chǎn)品

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