CYG502的壓力敏感元件采用當代的MEMS(Miro Electronic Machinical Systems)技術設計與制造。三維集成、雙面加工的硅壓阻壓力敏感元件具有優(yōu)秀的線性精度。離子注入、精細光刻技術制作的惠斯頓應變電橋的高度*性使其具有很小的溫度漂移。采用硅硅直接鍵合技術、倒V型槽設計、從而實現(xiàn)了可利用芯片薄膜尺寸的*化,為超微型傳感器的實現(xiàn)取得關鍵突破。
使用了硅–硅鍵合技術,改善了熱匹配效果,減少了應力帶來的零位不穩(wěn)定性。
目前已面市品種有絕壓型測量模式產品,表壓型正在研制中。
CYG502A絕壓型超微型壓力傳感器為探針形,標準外徑為Ф2.1mm、Ф2.6mm,傳感器的可選量程為50、100、160、250、400、600、1000、1600、2500、4000kPa壓力。
CYG502A絕壓傳感器用敏感元件正面承壓。因此,它僅適用于介質為無腐蝕性,不導電性的干燥氣體。它有著相當寬的工作溫區(qū),可達-55℃~+125℃,也有著非常優(yōu)秀的高頻動態(tài)特性,其zui低量程的敏感元件的固有頻率>200kHz,上升時間為亞微秒。