原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200 Advanced技術(shù)參數(shù)
襯底尺寸和類(lèi)型50 – 200 mm /單片
zui大可沉積直徑150 mm基片,豎直放置,10-25片/批次(根據(jù)工藝)
特殊選項(xiàng):zui大200 mm,豎直放置,5-15片每批(根據(jù)工藝)
156 mm x 156 mm 太陽(yáng)能硅片
3D 復(fù)雜表面襯底
粉末與顆粒
Roll-to-roll, 襯底zui大寬 70 mm
多孔,通孔,高深寬比(HAR)樣品
原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200 Advanced工藝溫度
50 –500 °C, 可選更高溫度
原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200 Advanced基片傳送選件
氣動(dòng)升降(手動(dòng)裝載)
預(yù)真空室安裝磁力操作機(jī)械手(Load lock )
半自動(dòng)的機(jī)械裝載
集群系統(tǒng)的批量裝載(Cassette-to-cassette )
前驅(qū)體
液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源、等離子體
12根獨(dú)立源管線,zui多加載6個(gè)前驅(qū)體源
重量
350 + 200 kg
尺寸 (W x H x D)
取決于選件
zui小 146 cm x 146 cm x 84 cm
zui大 189 cm x 206 cm x 111 cm
選件
集群工具,PICOFLOW? 擴(kuò)散增強(qiáng)器,集成橢偏儀,QCM,RGA,超高真空兼容,N2發(fā)生
器,尾氣處理器,定制設(shè)計(jì),手套箱集成(用于惰性氣體下裝載)。
驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)為 Al2O3 工藝