隨著社會經(jīng)濟發(fā)展，國家對環(huán)保越來越重視，綠色發(fā)展已經(jīng)成為今后社會經(jīng)濟發(fā)展主流，綠色能源如太陽能發(fā)電成為今后國家能源發(fā)展的主要方向。而多晶硅作為太陽能電池板生產(chǎn)的主要原材料，是發(fā)展綠色能源不可或缺的原料，在電子工業(yè)中，多晶硅被視為“微電子大廈的基石”。
 

　　現(xiàn)行GB/T 29057-2012《用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程》標準為國內(nèi)首次制定的關(guān)于區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的標準。在使用該標準時需參照其他標準，嚴重制約了國內(nèi)多晶硅企業(yè)及檢測機構(gòu)對多晶硅棒的評價測試，隨著檢測手段的不斷更新，標準內(nèi)部分內(nèi)容已不能滿足現(xiàn)行多晶硅產(chǎn)品標準的檢測需求，并且沒有有關(guān)氧濃度技術(shù)指標的測試內(nèi)容。
 

　　本次通過修訂增加氧濃度技術(shù)指標的測試內(nèi)容，使該標準滿足現(xiàn)行多晶硅產(chǎn)品標準的檢測要求，規(guī)范和提升國內(nèi)實驗室檢測高純多晶硅的水平，這對促進我國高純多晶硅生產(chǎn)質(zhì)量和極大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)以及N型高效太陽能電池發(fā)展具有重要的意義。
 

　　該文件規(guī)定了多晶硅棒取樣﹑將樣品區(qū)熔拉制成單晶以及通過光譜分析方法對拉制好的單晶硅棒進行分析以確定多晶硅中痕量雜質(zhì)的程序。
 

　　該文件中適用的雜質(zhì)濃度測定范圍:施主和受主雜質(zhì)為(0.002~100)ppba(十億分之一原子比)，碳雜質(zhì)為(0.02~15)ppma(百萬分之一原子比)，氧雜質(zhì)為(0.02~15)ppma(百萬分之一原子比)。樣品中的這些雜質(zhì)是通過低溫紅外光譜法或光致發(fā)光光譜法分析的。文件僅適用于評價硅芯上沉積生長的棒狀多晶硅。
 

　　該標準根據(jù)國內(nèi)使用改良西門子法生產(chǎn)棒狀多晶硅企業(yè)的實際測試情況，結(jié)合我國半導(dǎo)體及太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀對原標準的技術(shù)內(nèi)容進行修訂，進一步完善棒狀多晶硅質(zhì)量評價的規(guī)程。
 

　　另外，該標準適用于用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒。包括多晶硅棒取樣、將樣品采用氣氛區(qū)熔工藝拉制成單晶以及通過光譜分析法對制備好的單晶硅棒進行分析，確定多晶硅棒中施主雜質(zhì)濃度、受主雜質(zhì)濃度及碳、氧雜質(zhì)濃度，主要修訂以下內(nèi)容:
 

　　1)根據(jù)GB/T 1.1調(diào)整標準結(jié)構(gòu)，使其更符合使用習(xí)慣;
 

　　2)增加干擾因素內(nèi)容;
 

　　3)明確規(guī)定區(qū)熔樣品的工藝參數(shù);
 

　　4)增加氧濃度技術(shù)指標的測試內(nèi)容，通過實驗確定最佳的氧濃度樣片取樣位置，對多晶硅中的氧濃度進行準確測量;
 

　　5)結(jié)合標準的實際使用情況對原標準的技術(shù)內(nèi)容進行廣泛征集意見，進行適當修改。