【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】高遷移率聚合物半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)合成已經(jīng)取得很大進(jìn)展，但將聚合物半導(dǎo)體的可溶液加工、本征柔性這些獨(dú)特性質(zhì)應(yīng)用在集成電路里仍面臨很多困難。在集成電路中，對(duì)聚合物半導(dǎo)體進(jìn)行圖案化加工可以降低漏電流，避免相鄰器件間的串?dāng)_，降低電路整體功耗?？煽毓饣瘜W(xué)交聯(lián)技術(shù)是一種與現(xiàn)有微電子工業(yè)光刻工藝相兼容的圖案化方式，其中發(fā)展高效的化學(xué)交聯(lián)劑至關(guān)重要。目前，簡(jiǎn)單高效的交聯(lián)劑種類有限，交聯(lián)體系的遷移率、靈敏度、對(duì)比度、集成度等核心性能亟待提升。
 

　　近日，在國(guó)家自然科學(xué)基金委、科技部和中國(guó)科學(xué)院的支持下，化學(xué)研究所有機(jī)固體實(shí)驗(yàn)室張德清研究員課題組在前期工作基礎(chǔ)上(Angew. Chem. Int. Ed.2021,60,21521;Adv. Mater.2024,36,2309256;Adv. Sci.2022,9,2106087;Acc. Chem. Res.2024,57,625)，發(fā)展了側(cè)鏈末端含氟代芳基疊氮的新型聚合物半導(dǎo)體交聯(lián)劑(PN3，圖1)。他們以常用小分子交聯(lián)劑4Bx為參比，系統(tǒng)評(píng)估了PN3對(duì)n型、p型和雙極型聚合物半導(dǎo)體的光刻圖案化性能。PN3比小分子交聯(lián)劑4Bx具有更高的靈敏度。PN3與三種聚合物半導(dǎo)體共混后薄膜的表面形貌、鏈間堆積以及遷移率幾乎不受圖案化過(guò)程影響。
 

　　圖1.側(cè)鏈含氟代芳基疊氮的聚合物半導(dǎo)體交聯(lián)劑

 

　　研究結(jié)果表明，該聚合物半導(dǎo)體交聯(lián)劑的光刻性能明顯優(yōu)于小分子交聯(lián)劑。主要原因?yàn)椋悍交B氮均勻分布在聚合物側(cè)鏈末端，一個(gè)聚合物分子上有多個(gè)交聯(lián)位點(diǎn)；相比于常用的小分子交聯(lián)劑，聚合物半導(dǎo)體交聯(lián)劑在常規(guī)聚合物半導(dǎo)體薄膜中分散的更均勻。該工作為光刻加工柔性集成電路提供了可能的材料設(shè)計(jì)思路。相關(guān)研究成果發(fā)表在Adv. Mater.2024,36,2407305，文章的第一作者為在讀博士生薛香，通訊作者為張德清研究員和李誠(chéng)副研究員。