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摘要該工作首次實(shí)現(xiàn)了一種基于自旋軌道力矩磁隨機(jī)存儲器(SOT-MRAM)的高可靠且可重構(gòu)的強(qiáng)物理不可克隆函數(shù)(sr-PUF)。

  【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】近日,中國工程院院刊《工程》(Engineering)在線發(fā)表了北航集成電路科學(xué)與工程學(xué)院趙巍勝教授課題組的最新研究成果《Experimental Realization of Physical Unclonable Function Chip Utilizing Spintronic Memories》。該工作首次實(shí)現(xiàn)了一種基于自旋軌道力矩磁隨機(jī)存儲器(SOT-MRAM)的高可靠且可重構(gòu)的強(qiáng)物理不可克隆函數(shù)(sr-PUF)。所提出的PUF在具有接近理想性能參數(shù)的同時(shí),還具備抵抗機(jī)器學(xué)習(xí)模型攻擊的能力,為未來物聯(lián)網(wǎng)邊緣端設(shè)備的硬件安全問題提供了一種全新的解決方案。集成電路科學(xué)與工程學(xué)院2022級博士生張秀野為第一作者,趙巍勝教授為通訊作者。該工作獲得了國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃和國家自然科學(xué)基金等項(xiàng)目的支持。
 
  物聯(lián)網(wǎng)的迅猛發(fā)展為緣邊緣端設(shè)備的硬件安全帶來了諸多挑戰(zhàn)。根據(jù)統(tǒng)計(jì),2022年物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備遭受的惡意攻擊超過了1億次,導(dǎo)致了嚴(yán)重的信息泄露和巨大的經(jīng)濟(jì)損失。作為一種加密原語,PUF有望在緩解這些問題方面發(fā)揮重要作用。在制造工藝中,通常存在著不可避免的固有隨機(jī)性,PUF利用這種難以復(fù)制的微小變化,將輸入的挑戰(zhàn)映射為獨(dú)立且不可預(yù)測的響應(yīng),并結(jié)合特定算法輸出密鑰。當(dāng)前,全電學(xué)PUF的基本單元通?;贑MOS技術(shù)。然而,CMOS PUF內(nèi)稟熵源不足且易受環(huán)境影響,因此通常需要額外的糾錯(cuò)電路,在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中的可行性受到限制。相比之下,磁隨機(jī)存儲器(MRAM)具有較低的功耗和面積開銷、豐富的內(nèi)稟熵源及高可靠性等特點(diǎn),這使得MRAM PUF成為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中極具前景的選擇。
 
  基于上述原因,研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種以陣列單元閾值電壓差異為熵源,具備高可靠性和可重構(gòu)性的強(qiáng)SOT-MRAMsr-PUF,其特性總結(jié)如圖1所示。所提出PUF的實(shí)現(xiàn)過程分為兩步,如圖2所示。首先,對整個(gè)芯片進(jìn)行初始化操作,將陣列上所有單元設(shè)置為高阻態(tài)或低阻態(tài)。接著,對所有單元施加特定的寫入電壓,使得陣列中高阻態(tài)和低阻態(tài)的出現(xiàn)概率接近50%。最后,采用存內(nèi)計(jì)算方法,通過比較不同列組合的電流和生成PUF響應(yīng)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明,SOT-MRAMsr-PUF無需額外的糾錯(cuò)電路或輔助設(shè)計(jì),可以直接通過存儲芯片實(shí)現(xiàn)。值得注意的是,SOT-MRAM sr-PUF擁有極大的挑戰(zhàn)響應(yīng)對(CRPs)空間(∼109),并且所有性能指標(biāo)接近理想基準(zhǔn),尤其是在375K下仍能實(shí)現(xiàn)100%的可靠性,如圖3所示。通過對寫入電壓施加微小變化,SOT-MRAM sr-PUF成功實(shí)現(xiàn)了CRPs的可重構(gòu)操作。此外,所提出的PUF還表現(xiàn)出對邏輯回歸、支持向量機(jī)和多層感知器等機(jī)器學(xué)習(xí)算法建模攻擊的抵抗力。
 
圖1. SOT-MRAM sr-PUF特性總結(jié)
 
圖2. SOT-MRAM sr-PUF實(shí)現(xiàn)方法
 
圖3. SOT-MRAM sr-PUF性能評估
 
  北航集成電路科學(xué)與工程學(xué)院趙巍勝教授團(tuán)隊(duì)瞄準(zhǔn)科研前沿方向,長期致力于超低功耗自旋電子材料與器件及其應(yīng)用的相關(guān)研究,并取得了一系列進(jìn)展。相關(guān)成果發(fā)表于《自然•電子》(Nature Electronics)、《自然•通訊》(Nature Communications)、《電氣與電子工程師協(xié)會會報(bào)》(Proceeding of the IEEE)、《工程》(Engineering)、《科學(xué)通報(bào)》(Science Bulletin)等國內(nèi)外知名期刊。

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