【儀表網(wǎng) 儀表新品】2016年7月25日，是德科技公司（NYSE：KEYS）宣布推出新款的高性能先進(jìn)低頻噪聲分析儀（A-LFNA），旨在實(shí)施快速、準(zhǔn)確、可重復(fù)的低頻噪聲測量。該版本配備全新用戶界面，并與是德科技的 WaferPro Express 軟件緊密集成——這是一款對(duì)半導(dǎo)體器件執(zhí)行自動(dòng)化晶圓級(jí)測量的平臺(tái)。作為這一大框架的組成部分，該平臺(tái)能讓工程師更好地理解器件和電路中的噪聲。相比之下，獨(dú)立系統(tǒng)要達(dá)到同樣目標(biāo)，需要進(jìn)行大量復(fù)雜測量。
　　

　　當(dāng)今的半導(dǎo)體器件表征工程師通常希望采用靈活、可擴(kuò)展的噪聲測量系統(tǒng)。他們尤其需要一個(gè)功能強(qiáng)大的綜合性平臺(tái)，以便將先進(jìn)的低頻器件噪聲測量和分析與晶圓級(jí)測量集于一身，從而能夠管理完整的晶圓級(jí)表征。是德科技的 A-LFNA 與 WaferPro Express 軟件集成，能夠提供這樣的功能。該綜合解決方案有助于工程師對(duì)晶圓級(jí)以及封裝的各類元件、單獨(dú)器件和集成電路進(jìn)行噪聲測量。與以前一樣，使用 WaferPro Express 的工程師可以通過編程執(zhí)行快速直流、電容和射頻S參數(shù)測量，并可排列測量順序，同時(shí)自動(dòng)化控制探針臺(tái)。現(xiàn)在，隨著噪聲測量模塊的推出，他們能將噪聲測量和分析添加到測試套件中。
　　
　　A LFNA 內(nèi)置的測量程序能進(jìn)行完整的直流和噪聲測量。例如，為了測量 N 型 MOSFET 上的噪聲，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)選擇能好地呈現(xiàn)固有器件噪聲的源和負(fù)載阻抗。工程師可以采用這些建議的設(shè)置，也可以對(duì)其做出更改，然后啟動(dòng)噪聲測量。A-LFNA 會(huì)對(duì)噪聲功率譜密度（1/f 噪聲）和時(shí)域的RTN噪聲進(jìn)行測量。得出的數(shù)據(jù)在多圖數(shù)據(jù)顯示窗口中繪圖顯示。各種窗口選項(xiàng)卡有助于執(zhí)行常見的任務(wù)，如評(píng)測器件的直流工作點(diǎn)，以及測量功率譜密度曲線的斜率。使用是德科技的Model Builder Program（MBP）和 IC-CAP 等器件建模工具，也可以通過器件模型對(duì)噪聲數(shù)據(jù)進(jìn)行分析并顯示結(jié)果。電路設(shè)計(jì)人員能夠使用這些器件模型來確保高精度的射頻和模擬低噪聲電路設(shè)計(jì)。
　　
　　是德科技副總裁兼設(shè)計(jì)與測試軟件事業(yè)部總經(jīng)理 Todd Cutler 表示：“我們的客戶在進(jìn)行器件表征和建模時(shí)，會(huì)面臨不同的測試需求，包括氮化鎵可靠性、CMOS 建模和磁性傳感器測試等。通過 A-LFNA 的新軟件用戶界面，我們?yōu)榭蛻籼峁┝说哪芰?，使其能?duì)晶圓上的器件噪聲進(jìn)行測量和建模，同時(shí)還為他們提供了全面、靈活的測量選項(xiàng)，用于測量從直流到電容再到微波頻率 S 參數(shù)的各方面特性”。
　　
　　是德科技的 A-LFNA 具有業(yè)界的噪聲靈敏度（-183 dBV2/Hz），器件建模和電路表征工程師能用它來快速、準(zhǔn)確地表征高壓（200 V）和超低頻率（0.03 Hz）的器件。這種能力使其非常適用于半導(dǎo)體工廠開發(fā)制程設(shè)計(jì)套件，以及在器件制造過程中進(jìn)行統(tǒng)計(jì)制程控制。運(yùn)算放大器和線性穩(wěn)壓器的 IC 制造商還可以使用 A-LFNA 來表征其技術(shù)資料中的輸出電壓噪聲技術(shù)指標(biāo)。
　　
　?。ㄔ瓨?biāo)題：是德科技晶圓級(jí)解決方案平臺(tái)集成低頻噪聲測量）