【儀表網(wǎng) 儀表標準】2020年12月28日，北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)布一項聯(lián)盟標準T/CASA 006-2020《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》。本標準自2021年1月1日開始實施。
 

　　該項標準由中國科學(xué)院微電子研究所牽頭起草，按照CASAS標準制定程序(立項、征求意見稿、委員會草案、發(fā)布稿)，反復(fù)斟酌、修改、編制而成。標準的制定得到了很多CASA標準化委員會正式成員的支持。
 

　　隨著碳化硅材料、器件技術(shù)的不斷突破與發(fā)展，碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)近年來在新能源、電動汽車等領(lǐng)域應(yīng)用越來越廣泛，并取得了不錯的示范效果。為了加快推進SiC MOSFET功率器件的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展和規(guī)?；瘧?yīng)用，迫切需要制定SiC MOSFET功率器件的標準和規(guī)范，以指導(dǎo)和促進SiC MOSFET功率器件的性能不斷提升，質(zhì)量更加可靠，應(yīng)用更符合實際需求。
 

　　本文件充分借鑒了IEC 60747-8-4 Discrete Semiconductor devices - Part 8-4:Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors for power switching applications的內(nèi)容，并結(jié)合了近幾年科研人員在SiC MOSFET功率器件的研發(fā)、測試評估以及應(yīng)用方面的經(jīng)驗總結(jié)，對SiC MOSFET的動靜態(tài)參數(shù)、可靠性考核測試方法等進行了詳細的規(guī)定，但局限于當(dāng)前科研人員對SiC MOSFET器件的認知，以及該產(chǎn)品生產(chǎn)與應(yīng)用所處的發(fā)展階段，可能還存在一些不足的地方，后續(xù)將根據(jù)研究進展不斷進行完善和升級。
 

　　T/CASA 006-2020《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》主要起草單位有中國科學(xué)院微電子研究所、能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、中國電子科技集團公司第五十五研究所、華大半導(dǎo)體有限公司、株洲中車時代電氣股份有限公司、北京世紀金光半導(dǎo)體有限公司。中國電子科技集團公司第十三研究所、東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司、江蘇捷捷微電子股份有限公司、派恩杰半導(dǎo)體(杭州)有限公司和山東閱芯電子科技有限公司、深圳市禾望電氣股份有限公司等單位為本文件的撰寫提供了大量的支持。