PMST-3500V-MOSFET|BJT靜態(tài)參數(shù)測試平臺-武漢普賽斯儀表有限公司

產(chǎn)地	國產(chǎn)	加工定制	否
集電極-發(fā)射極?最大電壓	3500V	柵極-發(fā)射極?最大電壓	300V
漏電流測試范圍	1nA~100mA

IGBT測試難點：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設備進行測試。

3、IGBT動態(tài)電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。

4、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應用有密切關系。所以IGBT的電容測試非常重要。

6、IGBT開關特性非常重要，需要進行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試。

MOSFET|BJT靜態(tài)參數(shù)測試平臺特點和優(yōu)勢：

單臺Z大3500V輸出；

單臺Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大6000A；

15us的超快電流上升沿；

同步測量；

國標全指標的自動化測試；

系統(tǒng)指標

項目		參數(shù)
集電極-發(fā)射極	Z大電壓.	3500V
	Z大電流	6000A
	精度	0.10%
	大電壓上升沿	典型值5ms
	大電流上升沿	典型值15us
	大電流脈寬	50us~500us
	漏電流測試量程	1nA~100mA
柵極-發(fā)射極	Z大電壓	300V
	Z大電流	1A(直流)/10A(脈沖)
	精度	0.05%
	Z小電壓分辨率	30uV
	Z小電流分辨率	10pA
電容測試	典型精度	0.5%
	頻率范圍	10Hz~1MHz
	電容值范圍	0.01pF~9.9999F
溫控	范圍	25℃~150℃
溫控	精度	±1℃

測試項目

集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat

集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges

柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)

輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容

續(xù)流二極管壓降Vf

I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

普賽斯

MOSFET|BJT靜態(tài)參數(shù)測試平臺集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達10KV,電流可高達6KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，皮安級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)采用模塊化設計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。