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HP2000E 外量子效率光電性能分析儀，主要參數(shù)：色溫、光通量、顯色指數(shù)、色容差、輻射功率、坐標(biāo)、紅色比、藍(lán)色比、綠色比、電流、電壓、功率、功率因素、光效。

HP2000E 外量子效率光電性能分析儀

EQE（External Quantum Efficiency）的測(cè)量中，核心是分子部分“單位時(shí)間內(nèi)出射到空間的光子數(shù)"的測(cè)量。現(xiàn)在高精度的測(cè)量方法主要有兩種：

1）光分布法

2）積分球法

光分布法

之前許多用戶可能會(huì)采用通過亮度計(jì)測(cè)量法線方向的亮度，以及通過標(biāo)準(zhǔn)朗伯體分布理論計(jì)算得到器件的EQE值。這是比較常見的、傳統(tǒng)的測(cè)量方式，但其實(shí)存在很大的缺陷。由于實(shí)際中器件的朗伯體分布并非標(biāo)準(zhǔn)的余弦分布，會(huì)有部分分布不均的現(xiàn)象，此時(shí)通過理論計(jì)算的結(jié)果會(huì)非常不準(zhǔn)確。而光分布法就可以解決這個(gè)問題，下圖便是很好的說明：

積分球法

第二種EQE的測(cè)量方法是通過積分球配件，將器件的整體光通量收集，并通過計(jì)算得到器件的EQE。該方法又有兩種測(cè)量方案，一種是將器件至于積分球球壁上，僅測(cè)量器件的前向通量，稱為2π法；一種是將器件置于積分球內(nèi)部，測(cè)量器件的整體通量，稱為4π法。

積分球法簡(jiǎn)單快捷有效，但是器件本身的基底反射對(duì)于積分球的工作會(huì)有一定的影響

電致發(fā)光器件的另一個(gè)重要性能電流-電壓-亮度（IVL）。

電流參數(shù)（電流、電流密度等）隨電壓參數(shù)的變化曲線反映了器件的電學(xué)性質(zhì)。亮度隨電壓參數(shù)的變化曲線反映了器件的光學(xué)性質(zhì)。這類電學(xué)和光學(xué)參數(shù)之間的關(guān)系統(tǒng)稱為IVL（電流-電壓-亮度）關(guān)系，對(duì)于電致發(fā)光器件也非常重要。

通常情況下，IVL關(guān)系的測(cè)量需要多套電學(xué)測(cè)量系統(tǒng)和光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)分別測(cè)量，測(cè)量全部的參數(shù)非常繁瑣。通過軟件整合電流源和光譜探測(cè)器的功能，C9920-11/12可以測(cè)量電流、電流密度、電壓、電流效率、功率效率、發(fā)射光譜、色度等一系列參數(shù)，并且逐一對(duì)應(yīng)，形成關(guān)系曲線，將測(cè)量操作化繁為簡(jiǎn)。