在屏蔽體內(nèi)尚未衰減掉的剩余能量，在遇到屏蔽層和介質(zhì)的交界面時(shí)，會(huì)形成再次反射，并重新回到屏蔽體內(nèi)，這種反射可產(chǎn)生多次。  綜上所述，電磁屏蔽對(duì)電磁干擾的衰減主要基于電磁波的反射和吸收。不同的屏蔽材料以及材料的厚度對(duì)于電磁波的吸收效果是不一樣的。 對(duì)于反射損耗，它不但與屏蔽材料的表面阻抗有關(guān)，也與波阻抗的大小以及輻射源的類型有關(guān)。圖Ia和圖Ib分別給出了低阻抗磁場(chǎng)計(jì)算反射損耗和高阻抗電場(chǎng)計(jì)算反射損耗的列線圖，圖中五條平行的列線自左至右分別為頻率、反射損耗、輻射源到屏蔽層之間的距離、無(wú)刻度的參考線和所選定屏蔽材料的電導(dǎo)率與磁導(dǎo)率之比，在具體計(jì)算時(shí)，可根據(jù)已知距離和選定的金屬材料，在該列線的對(duì)應(yīng)點(diǎn)之間連一直線，得到與參考線的交點(diǎn)，再在這個(gè)交點(diǎn)與相應(yīng)的頻率上連另一條直線，后一條直線與反射損耗線的交點(diǎn)即為所求的反射損耗值。如果已知頻率和反射損耗值，也可以利用它們的連線在參考線上的交點(diǎn)，反過(guò)來(lái)求出所選定的金屬材料和必須有的輻射源到屏蔽層之間的距離。

BPYJVP3變頻電纜35kv交聯(lián)絕緣屏蔽

NH-BPGGP、NH-BPGGP2、NH-BPGGPP2、NH-BPGGP3、NH-BPGVFP、NH-BPGVFP2、NH-BPGVFPP2、NH-BPGVFP3 、NH-BPYJVPP、NH-BPVVPP、NH-BPFFP、NH-BPFFP2、NH-BPFFPP2、NH-BPFFP3、NH-BPVVP、NH-BPVVP2、NH-BPVVPP2、 NH-BPVVP3、NH-BPYJVP、

 但是在工業(yè)領(lǐng)域內(nèi)，電機(jī)功率較大，連接變頻電機(jī)和變頻電源之間的電纜長(zhǎng)度長(zhǎng)，在工作時(shí)電纜就是高頻電磁波向外發(fā)射的有效載體，對(duì)于周圍鄰近地區(qū)的通信工具如無(wú)繩或調(diào)幅接受器，如收音機(jī)調(diào)幅波段將產(chǎn)生干擾，有時(shí)情況也比較嚴(yán)重，稱之為電磁波的環(huán)境污染，國(guó)外早已對(duì)這種電纜提出要求，國(guó)內(nèi)也很重視，目前各電纜廠制訂了企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，今后將會(huì)統(tǒng)一制訂行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。中性線電流的疊加，完整的三相正弦供電系統(tǒng)，當(dāng)三相電流平衡時(shí)，其中性線的電流為零，若出現(xiàn)三次諧波，則三次諧波的電流分量在中性線內(nèi)不存在相位差，所以直接疊加成分量得三倍。若變頻原供電對(duì)象是三個(gè)單相變頻電機(jī)，而且處于三相功率分布平衡狀態(tài)，則中性線電流更大，中性線截面應(yīng)不小于相截面。

BPYJVP3變頻電纜35kv交聯(lián)絕緣屏蔽