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中級(jí)會(huì)員 | 第2年

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WBFJ-1750型微擾法復(fù)介電常數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

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品       牌其他品牌

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所  在  地北京市

更新時(shí)間:2024-05-09 16:19:26瀏覽次數(shù):392次

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WBFJ-1750型微擾法復(fù)介電常數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是采用諧振腔微擾法是一種用于研究諧振器性能的方法,特別是在微波技術(shù)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。這種方法涉及到在諧振腔內(nèi)部引入微小的擾動(dòng),這些擾動(dòng)可能來自于腔壁的輕微變形或其他形式的局部變化,然后通過對(duì)微擾前后場(chǎng)量的對(duì)比和分析,來估算這些變化如何影響諧振腔的諧振頻率和其他相關(guān)參數(shù)。微波介質(zhì)材料介電特性的測(cè)量,對(duì)于研究材料的微波特性和制作微波器件,獲得材料的結(jié)構(gòu)信息以促

WBFJ-1750型微擾法復(fù)介電常數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

關(guān)鍵詞:諧振腔,微波,介電常數(shù)tan

WBFJ-1750型微擾法復(fù)介電常數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

WBFJ-1750型微擾法復(fù)介電常數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是采用諧振腔微擾法是一種用于研究諧振器性能的方法,特別是在微波技術(shù)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。這種方法涉及到在諧振腔內(nèi)部引入微小的擾動(dòng),這些擾動(dòng)可能來自于腔壁的輕微變形或其他形式的局部變化,然后通過對(duì)微擾前后場(chǎng)量的對(duì)比和分析,來估算這些變化如何影響諧振腔的諧振頻率和其他相關(guān)參數(shù)。微波介質(zhì)材料介電特性的測(cè)量,對(duì)于研究材料的微波特性和制作微波器件,獲得材料的結(jié)構(gòu)信息以促進(jìn)新材料的研制,以及促進(jìn)現(xiàn)代技術(shù)(吸收材料和微波遙感)等都有重要意義。這是研究新型關(guān)鍵材料的重要設(shè)備。

符合:

GB/T 7265.1-1987 固體電介質(zhì)微波復(fù)介電常數(shù)的測(cè)試方法 微擾法

一、符合標(biāo)準(zhǔn):

GB/T 5597-1999 固體電介質(zhì)微波復(fù)介電常數(shù)的測(cè)試方法

GB/T 12636-1990 微波介質(zhì)基片復(fù)介電常數(shù)帶狀線測(cè)試方法

GB/T 7265.1-1987 固體電介質(zhì)微波復(fù)介電常數(shù)的測(cè)試方法 微擾法

GB 7265.1-87 固體電介質(zhì)微波復(fù)介電常數(shù)的測(cè)試方法 微擾法

GB 7265.1-1987 固體電介質(zhì)微波復(fù)介電常數(shù)的測(cè)試方法 微擾法

ASTM D2520-2013 在微波頻率和1650℃時(shí)固體電絕緣材料復(fù)合介電常數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法

ASTM D3380-10 基于聚合物的微波電路基板的相對(duì)介電常數(shù)(介電常數(shù))和損耗因子的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法

ASTM D5568-08 測(cè)量微波頻率下固體材料的相對(duì)復(fù)介電常數(shù)和相對(duì)磁導(dǎo)率的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法

ASTM D7449/D7449M-08 使用同軸空氣線測(cè)量微波頻率下固體材料相對(duì)復(fù)數(shù)介電常數(shù)和相對(duì)磁導(dǎo)率的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法

ASTM D7449/D7449M-08e1 使用同軸空氣線測(cè)量微波頻率下固體材料相對(duì)復(fù)數(shù)介電常數(shù)和相對(duì)磁導(dǎo)率的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法

AS ASTM D2520-2001 在微波頻率和1650℃時(shí)固體電絕緣材料的復(fù)合介電常數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法

ASTM D5568-2001 微波頻率下固體材料相對(duì)復(fù)介電常數(shù)和磁導(dǎo)率測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法

ASTM D3380-1990(2003) 塑料片基微波電路基片的相對(duì)透電率(介電常數(shù))和耗散因數(shù)測(cè)試方法

一、主要應(yīng)用范圍:

1、主要應(yīng)用于5G材料,例如薄膜等。

2、高速數(shù)字/微波電路用基底材料 ;

3、濾波器和介電天線用低損耗電介質(zhì) ;

4、化學(xué)制品; 

      5、薄膜與新材料;半導(dǎo)體材料;電子材料(包括CCL和PCB)

二、主要特點(diǎn):

1、全新架構(gòu),更高精度采用了全新的內(nèi)部架構(gòu),具備更加強(qiáng)大的數(shù)據(jù)處理能力,響應(yīng)速度更快,能輕松實(shí)現(xiàn)4端口S參數(shù)測(cè)量,差分(平衡)測(cè)量,時(shí)域測(cè)量、帶寬、Q值等一鍵測(cè)量。并且其動(dòng)態(tài)范圍高達(dá)135dB,有著極低的相位噪聲,可以幫助工程師在苛刻的測(cè)試場(chǎng)景下仍獲得準(zhǔn)確可靠的測(cè)試結(jié)果。

2、電子校準(zhǔn)件-讓校準(zhǔn)一步到位:頻率范圍9kHz~40GGHz,能幫助工程師解決使用傳統(tǒng)機(jī)械校準(zhǔn)件耗時(shí)久、誤差大、操作繁瑣等問題。電子校準(zhǔn)件大幅縮減了校準(zhǔn)步驟,減少了連接器的損耗,保證了校準(zhǔn)精度,極大的節(jié)省了校準(zhǔn)所需時(shí)間,為多端口測(cè)試和產(chǎn)線測(cè)試提供了極大便利。

3、開關(guān)矩陣-輕松實(shí)現(xiàn)多端口器件測(cè)試需求:?jiǎn)闻_(tái)可將輸出端口擴(kuò)展至24個(gè),還可繼續(xù)疊加。與傳統(tǒng)測(cè)量方式相比,使用射頻開關(guān)矩陣測(cè)量速度大大提升,可以幫助工程師輕松實(shí)現(xiàn)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀和多端口被測(cè)物的連接與測(cè)試,也極大的適配了生產(chǎn)線使用場(chǎng)景。

4、脈沖測(cè)量功能:內(nèi)置脈沖調(diào)制器和脈沖發(fā)生器應(yīng)用于測(cè)試諸如功率晶體管之類的大功率被測(cè)器件,以及需要工作在脈沖模式下的模塊。連續(xù)波激勵(lì)所積累的熱量可能會(huì)損壞被測(cè)器件,而使用脈沖激勵(lì)進(jìn)行測(cè)量可以安全地對(duì)這類器件的特性進(jìn)行表征,同時(shí)也支持控制外部脈沖生成器和調(diào)制器,與外部主脈沖保持同步

5、混頻器測(cè)量

6、混頻器是微波毫米波系統(tǒng)的重要部件,其特性的好壞直接影響設(shè)備或儀器的性能。在混頻器研發(fā)生產(chǎn)的各個(gè)階段,都需要對(duì)其性能指標(biāo)進(jìn)行測(cè)量。

三、主要技術(shù)參數(shù):

頻率范圍:0.1~40.0GHz

測(cè)試溫度:室溫~1750℃

復(fù)介電常數(shù)測(cè)試范圍:

r= 1.0~30.0

tan=5.0×10-4~5×10-2

r= 0.5~10

tan = 0.001~1.0

測(cè)試誤差:

|r/r|  1.5%  當(dāng)r=2.0~30.0

|r|  2.0%  r + 0.02   當(dāng)r=1.05~2

|tan|  15.0% tan + 2.010-4

|r/r|  2.0%

|tan|  15% tan + 5.010-4

樣品尺寸:

圓棒或方棒狀小樣品材料,直徑:1.0~6.0mm,高度不低于30mm;(實(shí)際尺寸視具體情況而定)



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