Laser MBE
![德國分子束外延 Laser MBE(圖1) Laser MBE](https://img64.ybzhan.cn/2d30da6cfd71fe74a0936a4b3ab0d1172b8785233632ad707e4e981c30721ee106d8b1fe353c1f16.jpg)
Laser MBE
特點
模塊化概念,Laser MBE可以輕松升級到傳輸模塊或其他模塊
UHV PLD主腔室、利用Load-lock實現(xiàn)襯底和靶材的UHV傳輸
*的工藝自動化功能,可實現(xiàn)超晶格生長
溫度測量準確的耐氧襯底加熱器,1000 ℃,也可以選配激光加熱
靶臺可以屏蔽交叉污染,傳輸整個carrousel而非單個靶材
真空腔室利于系統(tǒng)升級(RHEED,等離子體源,OES/FTIR等)
SURFACE激光能量密度控制選件,99%的結(jié)果可重復性
全封閉光路,安全省事
整套交付,*的在線支持
PLD/Laser MBE腔室
![德國分子束外延 Laser MBE(圖2) PLD/Laser MBE腔室](https://img64.ybzhan.cn/2d30da6cfd71fe74a0936a4b3ab0d117cfbc8091295d7c0cdf744ef225e9592e19270caf9e8866ee.jpg)
PLD/Laser MBE腔室
SURFACE的Laser MBE腔室專為科研而設計,并提供高級Laser MBE需要的所有特征。
襯底和靶材的UHV傳輸
冷壁設計防止沉積過程中腔壁放氣
原位分析窗口和法蘭口(RHEED,OES或FTIR,質(zhì)譜儀)
沉積源和等離子體源備用法蘭口
*的SURFACE襯底加熱器或激光加熱
靶臺最多可存貯5個1寸靶材
激光能量密度控制
![德國分子束外延 Laser MBE(圖3) 激光能量密度控制](https://img62.ybzhan.cn/2d30da6cfd71fe74a0936a4b3ab0d117f518177d2e983292a7e93ac5f6f5b140454f09f89e258ae7.jpg)
激光能量密度控制
Laser MBE可以選配SURFACE 激光能量密度控制功能。它可以確保薄膜沉積的重復性。在每一步沉積前,自動校準激光能量密度,脈沖能量隨著時間推移而始終保持恒定。
Load Lock
Loadlock腔室最多可同時裝載5個樣品和2個靶臺carrousel。
控制軟件
![德國分子束外延 Laser MBE(圖4) 控制軟件](https://img62.ybzhan.cn/2d30da6cfd71fe74a0936a4b3ab0d1174adf6463b531f7efbf3932909514018e1bcd08a031945157.jpg)
控制軟件
SURFACE的Laser MBE設備均是高度自動化的,可以自動控制整個沉積過程,從而確保設備易于操作。
多個工藝步驟被合并到一個沉積程序中,直觀的工藝過程可視化操作,高度靈活的數(shù)據(jù)記錄和導出,優(yōu)異的自我測試能力。
升級到Cluster系統(tǒng)
![德國分子束外延 Laser MBE(圖5) Cluster系統(tǒng)](https://img66.ybzhan.cn/2d30da6cfd71fe74a0936a4b3ab0d11777687d95d895f48adc526738efbdf747fd4cc68cab80ad4a.jpg)
Cluster系統(tǒng)
Laser MBE可以輕松升級為功能齊備的cluster系統(tǒng)。在PLD主腔室和Load-lock進樣室中間插入cluster傳輸模塊。模塊化設計和輪式支架簡化了升級過程,可根據(jù)需要和預算來升級系統(tǒng)。