激光分子束外延系統(tǒng)Laser MBE是新型激光薄膜制備技術(shù)設(shè)備,它集成了普通分子束外延（MBE）的超高真空、原位監(jiān)測(cè)的優(yōu)點(diǎn)和脈沖激光沉積（PLD）的易于控制化學(xué)組分的優(yōu)點(diǎn)。
激光分子束外延系統(tǒng)特點(diǎn)
增長(zhǎng)的激光MBE解決方案：從PLD室和負(fù)載鎖開(kāi)始，稍后添加更多模塊！
UHV PLD沉積室，通過(guò)負(fù)載鎖定對(duì)襯底和目標(biāo)進(jìn)行UHV傳輸
模塊化概念：輕松升級(jí)到傳輸模塊和附加模塊
*的工藝自動(dòng)化，也適用于超晶格沉積
具有*溫度測(cè)量功能的耐氧基板加熱器，1000°C
激光加熱基材可選
靈活的*目標(biāo)操縱器，具有交叉污染屏蔽和目標(biāo)轉(zhuǎn)盤傳送
為系統(tǒng)升級(jí)準(zhǔn)備的真空室（RHEED、等離子源、OES/FTIR等）
表面通量控制選項(xiàng)，99%可重復(fù)結(jié)果
全封閉梁線，操作方便、安全
交鑰匙交付
通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)提供高級(jí)在線支持
PLD/激光MBE室
表面PLD/激光MBE室專為研究而設(shè)計(jì)，提供*激光MBE所需的所有功能：
襯底和PLD靶的超高壓傳輸
冷壁設(shè)計(jì)可防止在沉積時(shí)間內(nèi)從室壁放氣
用于原位分析的窗口和端口：RHEED、OES或FTIR、質(zhì)譜
用于附加沉積或等離子源的端口
*的表面襯底加熱器或激光加熱器
目標(biāo)操縱器保持一個(gè)轉(zhuǎn)盤，轉(zhuǎn)盤上最多有五個(gè)直徑為1”的PLD目標(biāo)
此外，用于向腔室中供應(yīng)工藝氣體的兩個(gè)質(zhì)量流量控制器通道是標(biāo)準(zhǔn)的。它們能夠自動(dòng)控制工藝氣氛和壓力。
通過(guò)結(jié)合控制軟件設(shè)計(jì)目標(biāo)操縱器，避免了目標(biāo)表面上的錐體形成，并保證了目標(biāo)的均勻磨損。激光束將以兩個(gè)不同的入射角照射目標(biāo)的每個(gè)點(diǎn)，因此無(wú)法形成影響燒蝕材料化學(xué)計(jì)量的錐體。
為了實(shí)現(xiàn)均勻的目標(biāo)磨損，沉積過(guò)程中有兩種不同的目標(biāo)運(yùn)動(dòng)模式：
搖擺：目標(biāo)轉(zhuǎn)盤以連續(xù)運(yùn)動(dòng)的方式來(lái)回移動(dòng)，以便激光束在距離目標(biāo)中心任意半徑處擊中目標(biāo)。該模式易于設(shè)置，只需知道目標(biāo)直徑。
掃描：移動(dòng)目標(biāo)轉(zhuǎn)盤，使激光束在目標(biāo)上“寫入”定義的軌跡。調(diào)整目標(biāo)旋轉(zhuǎn)速度和軌道間距以匹配激光光斑大小和重復(fù)率。這實(shí)現(xiàn)了目標(biāo)表面的非常均勻的磨損。
該系統(tǒng)可配備表面基板操縱器/加熱器，基板溫度為1000°C，基板直徑為1”（可根據(jù)要求提供其他尺寸）可選地，激光襯底加熱器可用于選擇性加熱膜和快速加熱/冷卻速率。所有基板操縱器都包括一個(gè)前擋板，以在無(wú)沉積運(yùn)行時(shí)保護(hù)樣品。襯底操縱器針對(duì)原位RHEED（反射高能電子衍射）進(jìn)行了優(yōu)化：它們?cè)试S襯底旋轉(zhuǎn)±120°、傾斜±3°和高度調(diào)整，以優(yōu)化襯底相對(duì)于電子束的位置。
SURFACE還提供高壓RHEED系統(tǒng)，可現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)控薄膜生長(zhǎng)和質(zhì)量。
如果需要更多的生長(zhǎng)加工量，可以將多個(gè)PLD/激光MBE室組合成一個(gè)集群模塊，共享一個(gè)激光器。然后，帶有自動(dòng)反射鏡的擴(kuò)展光束線將激光束引導(dǎo)到所需的腔室。激光服務(wù)器計(jì)算機(jī)基于請(qǐng)求表自動(dòng)控制激光器和光束線，并且PLD腔室中的沉積過(guò)程被延遲，直到激光器可用于特定腔室。
激光分子束外延系統(tǒng)特點(diǎn)
增長(zhǎng)的激光MBE解決方案：從PLD室和負(fù)載鎖開(kāi)始，稍后添加更多模塊！
UHV PLD沉積室，通過(guò)負(fù)載鎖定對(duì)襯底和目標(biāo)進(jìn)行UHV傳輸
模塊化概念：輕松升級(jí)到傳輸模塊和附加模塊
*的工藝自動(dòng)化，也適用于超晶格沉積
具有*溫度測(cè)量功能的耐氧基板加熱器，1000°C
激光加熱基材可選
靈活的*目標(biāo)操縱器，具有交叉污染屏蔽和目標(biāo)轉(zhuǎn)盤傳送
為系統(tǒng)升級(jí)準(zhǔn)備的真空室（RHEED、等離子源、OES/FTIR等）
表面通量控制選項(xiàng)，99%可重復(fù)結(jié)果
全封閉梁線，操作方便、安全
交鑰匙交付
通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)提供高級(jí)在線支持
PLD/激光MBE室
表面PLD/激光MBE室專為研究而設(shè)計(jì)，提供*激光MBE所需的所有功能：
襯底和PLD靶的超高壓傳輸
冷壁設(shè)計(jì)可防止在沉積時(shí)間內(nèi)從室壁放氣
用于原位分析的窗口和端口：RHEED、OES或FTIR、質(zhì)譜
用于附加沉積或等離子源的端口
*的表面襯底加熱器或激光加熱器
目標(biāo)操縱器保持一個(gè)轉(zhuǎn)盤，轉(zhuǎn)盤上最多有五個(gè)直徑為1”的PLD目標(biāo)
此外，用于向腔室中供應(yīng)工藝氣體的兩個(gè)質(zhì)量流量控制器通道是標(biāo)準(zhǔn)的。它們能夠自動(dòng)控制工藝氣氛和壓力。
通過(guò)結(jié)合控制軟件設(shè)計(jì)目標(biāo)操縱器，避免了目標(biāo)表面上的錐體形成，并保證了目標(biāo)的均勻磨損。激光束將以兩個(gè)不同的入射角照射目標(biāo)的每個(gè)點(diǎn)，因此無(wú)法形成影響燒蝕材料化學(xué)計(jì)量的錐體。
為了實(shí)現(xiàn)均勻的目標(biāo)磨損，沉積過(guò)程中有兩種不同的目標(biāo)運(yùn)動(dòng)模式：
搖擺：目標(biāo)轉(zhuǎn)盤以連續(xù)運(yùn)動(dòng)的方式來(lái)回移動(dòng)，以便激光束在距離目標(biāo)中心任意半徑處擊中目標(biāo)。該模式易于設(shè)置，只需知道目標(biāo)直徑。
掃描：移動(dòng)目標(biāo)轉(zhuǎn)盤，使激光束在目標(biāo)上“寫入”定義的軌跡。調(diào)整目標(biāo)旋轉(zhuǎn)速度和軌道間距以匹配激光光斑大小和重復(fù)率。這實(shí)現(xiàn)了目標(biāo)表面的非常均勻的磨損。
該系統(tǒng)可配備表面基板操縱器/加熱器，基板溫度為1000°C，基板直徑為1”（可根據(jù)要求提供其他尺寸）可選地，激光襯底加熱器可用于選擇性加熱膜和快速加熱/冷卻速率。所有基板操縱器都包括一個(gè)前擋板，以在無(wú)沉積運(yùn)行時(shí)保護(hù)樣品。襯底操縱器針對(duì)原位RHEED（反射高能電子衍射）進(jìn)行了優(yōu)化：它們?cè)试S襯底旋轉(zhuǎn)±120°、傾斜±3°和高度調(diào)整，以優(yōu)化襯底相對(duì)于電子束的位置。
SURFACE還提供高壓RHEED系統(tǒng)，可現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)控薄膜生長(zhǎng)和質(zhì)量。
如果需要更多的生長(zhǎng)加工量，可以將多個(gè)PLD/激光MBE室組合成一個(gè)集群模塊，共享一個(gè)激光器。然后，帶有自動(dòng)反射鏡的擴(kuò)展光束線將激光束引導(dǎo)到所需的腔室。激光服務(wù)器計(jì)算機(jī)基于請(qǐng)求表自動(dòng)控制激光器和光束線，并且PLD腔室中的沉積過(guò)程被延遲，直到激光器可用于特定腔室。
