一、電鏡技術(shù)參數(shù)：

1電子光學(xué)

1.1電子槍類(lèi)型：高分辨肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍

1.2加速電壓：200V-30kV

1.3電子著陸能量：20eV-30keV

*1.4束流大?。?pA-400nA連續(xù)可調(diào)，保證能譜高效工作

1.5透鏡（物鏡）幾何結(jié)構(gòu)：60°物鏡幾何結(jié)構(gòu)：支持傾斜較大的樣品（不規(guī)則樣品）

*1.6兼容磁性樣品

1.7光闌：自加熱物鏡光闌

1.8自動(dòng)烘烤、自動(dòng)啟動(dòng)、無(wú)需機(jī)械合軸

1.9 減速樣品臺(tái)

2分辨率

2.1高真空分辨率（STEM掃透模式）：0.6nm@30kV 

2.2高真空分辨率（SE二次電子）：0.7nm@15kV

2.3高真空分辨率（SE二次電子）：0.8nm@1kV(樣品臺(tái)減速)

2.4高真空分辨率（SE二次電子）：1.0nm@1kV(不開(kāi)樣品臺(tái)減速)

2.5 10mm分析工作距離分辨率：1.0nm@1kV

3探測(cè)系統(tǒng)

3.1 鏡筒內(nèi)BSE探頭（T1）

3.2 鏡筒內(nèi)SE探頭（T2）

3.3 鏡筒內(nèi)探測(cè)器 （T3）

3.4 常規(guī)SE探頭 （ETD）

3.5 紅外CCD（觀察樣品臺(tái)高度）

3.6 Nav-Cam智能導(dǎo)航相機(jī)

4真空系統(tǒng)

4.1泵的組成：1個(gè)PVP渦旋泵+1個(gè)分子泵+2個(gè)離子泵

*4.2抽真空時(shí)間：≤ 3.5 分鐘

5樣品倉(cāng)

*5.1樣品倉(cāng)內(nèi)徑：340mm

5.2接口：總共12個(gè)，可接能譜3個(gè)（1個(gè)35°,2個(gè)平行180°）

6樣品臺(tái)

6.1 五軸全對(duì)中馬達(dá)樣品臺(tái)，行程：X=110 mm，Y=110 mm，Z=65 mm

*6.2 傾斜Tilt(°)：-15 ~ +90，旋轉(zhuǎn)Rotation(°)：360°連續(xù)

6.3 樣品尺寸：可沿 X、 Y 軸旋轉(zhuǎn)時(shí)直徑為 122 mm，樣品高度 距共心點(diǎn) 85mm

6.4 分析工作距離：10mm

*6.5 多功能樣品臺(tái)：多用途標(biāo)準(zhǔn)支架，以方式直接安裝到載物臺(tái)，最多可支持 18 個(gè)標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái) (Ø12 mm)、3 個(gè)預(yù)先傾斜的樣品臺(tái)、切片樣品和不需要工具來(lái)安裝樣品

7軟件

7.1圖像輸出分辨率：65000x65000像素，8/16/24位深度BMP、JPG

7.2光柵掃描：駐留時(shí)間25ns到25ms/像素

*7.3智能掃描和漂移補(bǔ)償：SmartSCAN（256 幀平均或積分、線積分和平均法、隔行掃描），DCFI（漂移補(bǔ)償幀積分）

7.4控制：手動(dòng)/自動(dòng)控制亮度/對(duì)比度

7.5掃描方式：正常掃描、縮小光柵、定點(diǎn)、線掃描、掃描旋轉(zhuǎn)、傾斜校正

*7.6顯示方式和探測(cè)器通道數(shù)量：?jiǎn)畏?幅圖像實(shí)時(shí)顯示，標(biāo)準(zhǔn)4通道，任意兩個(gè)探測(cè)器的輸入可混合

7.7配備Map3大視野關(guān)聯(lián)軟件

二、能譜儀參數(shù)：

技術(shù)指標(biāo)

1、(*)能譜探測(cè)器：采用CMOS內(nèi)置的Si₃N₄窗新型SDD探測(cè)器窗口，堅(jiān)固耐用，晶體有效活區(qū)面積30mm²，X射線信號(hào)透過(guò)率比傳統(tǒng)的聚合物材料提高35%以上。

2、(*)Si₃N₄新型窗口耐高壓大于8個(gè)大氣壓， 耐高溫大于650攝氏度，耐酸堿腐蝕，可等離子直接清洗。

3、(*) 脈沖譜儀處理板集成在探測(cè)器內(nèi)，無(wú)需獨(dú)立的譜儀箱，能譜儀硬件除了探測(cè)器和計(jì)算機(jī)無(wú)需其他部件。

4、分析元素范圍：Be4~Am95

5、(*)能量分辨率(Mn-Ka)：優(yōu)于127eV, 嚴(yán)格依照ISO15632國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量

6、優(yōu)異的低能端分辨率： Al Lα to Al Kα 峰比率1:1

7、(*) 輸入計(jì)數(shù)率 200萬(wàn)CPS，輸出計(jì)數(shù)率85萬(wàn)CPS。

8、在0~200kcps范圍內(nèi)的分辨率穩(wěn)定性：> 90%

9、(*)能量分辨率和死時(shí)間實(shí)時(shí)顯示。

用途：

場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡為材料研究和材料表征的設(shè)備之一。它利用電子和物質(zhì)的相互作用，可以獲取被測(cè)樣品本身的各種物理、化學(xué)性質(zhì)的信息，如形貌、組成、晶體結(jié)構(gòu)、電子結(jié)構(gòu)和內(nèi)部電場(chǎng)或磁場(chǎng)等等。主要用于高分子、聚合物及鋰電池材料的微觀形貌標(biāo)準(zhǔn)及其成分分析。具備樣品表面微觀形貌觀測(cè)和表面元素成分點(diǎn)、線、面分析，適合分析泛的樣品范圍，從傳統(tǒng)的金屬材料（包含磁性材料）、斷口和拋光斷面，到鋰電池相關(guān)的正負(fù)極材料的微區(qū)形貌、成分和相分布分析。

工作環(huán)境：

1、電壓：100-240V（-6%，+10%）

2、工作溫度：20±3 ℃

3、 相對(duì)濕度：< 80%

4 、震動(dòng)和磁場(chǎng)需由廠家裝機(jī)前測(cè)試并給出報(bào)告