第三代半導(dǎo)體材料電性能測試高壓電源特點(diǎn)和優(yōu)勢:
十ms級的上升沿和下降沿;
單臺最大3500V的輸出;
0.1%測試精度;
同步電流或電壓測量;
支持程控恒壓測流,恒流測壓,便于掃描測試;
產(chǎn)品簡介
高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高(3500V)、能輸出及測量微弱電流信號(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限,輸出及測量電壓0~3500V,輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時支持豐富的I-V掃描模式。
應(yīng)用領(lǐng)域:
用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點(diǎn)具有重大意義。
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未來,普賽斯儀表基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測試方案,以更優(yōu)的測試能力、更準(zhǔn)確的測量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測試能力,聯(lián)合更多行業(yè)客戶,共同助力我國第三代半導(dǎo)體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展。