E系列功率器件功能高壓測試模塊特點和優(yōu)勢:
十ms級的上升沿和下降沿;
單臺最大3500V的輸出;
0.1%測試精度;
同步電流或電壓測量;
支持程控恒壓測流,恒流測壓,便于掃描測試;
產(chǎn)品簡介
高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高(3500V)、能輸出及測量微弱電流信號(1nA)的特點。設備工作在第一象限,輸出及測量電壓0~3500V,輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時支持豐富的I-V掃描模式。
應用領域:
用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實現(xiàn)功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對功率器件功能高壓測試模塊感興趣,歡迎隨時聯(lián)系我們!