一.儀器特點
該儀器利用美國進(jìn)口的高精度激光源進(jìn)行設(shè)計,利用激光干涉方法對 WAFER 的平整度進(jìn)行測量。該機器可廣泛適用于對如下材料的晶片平整度測量:碳化硅、砷化鎵、氮化鎵、鉭酸鋰/鈮酸鋰、藍(lán)玻璃、硅、鍺、藍(lán)寶石、陶瓷、石英、手機面板玻璃等,材料可以是透明體或不透明體。
本機可以測量的重要參數(shù)包括:TTV、TIR、WARP、BOW、LFPD、TAPER、LTIR、LTV、PLTV、PLTIR、PLFPD、LTV(AVG)等共 12 個。
二、儀器性能及技術(shù)參數(shù):。
2.1 適用范圍
可用于測量工件尺寸為 Φ2---Φ8(INCH)直徑的圓型晶片(方形晶片測量可以定制) |
2.2 測量精度
重復(fù)性精度: 0.03μm 測量精度:0.075μm
分辨率: 0.005μm 像素點數(shù): ≥250000
三、儀器外形參數(shù)及使用環(huán)境要求
3.1、激光干涉儀外形參數(shù)(參見圖二): 外形尺寸(高*寬*厚):530*650*780(MM) 儀器重量:75KG
3.2 電器控制柜外形參數(shù):
外形尺寸(高*寬*厚):270*510*400(MM) 控制柜重量:15KG
3.3 環(huán)境要求:
電源:220V/50HZ/10A 功率:≦1.5KW
氣源:使用超凈工業(yè)壓縮空氣或氮氣(Φ8mm 管徑) 氣壓:≥0.5MPA
用氣量:4M3/H