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武漢普賽斯儀表有限公司
初級(jí)會(huì)員 | 第3年

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  • 半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀

    普賽斯五合一高精度數(shù)字源表(SMU)在半導(dǎo)體IV特性測(cè)試方面擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn),為半導(dǎo)體分立器件電性能參數(shù)測(cè)試提供全面的解決方案,包括二極管、MOS管、BJT、...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 12:28:00 對(duì)比
    半導(dǎo)體器件參數(shù)分析半導(dǎo)體參數(shù)分析半導(dǎo)體器件分析半導(dǎo)體分析儀器參數(shù)測(cè)試儀器
  • iv測(cè)試儀+半導(dǎo)體器件iv曲線掃描儀器

    iv測(cè)試儀+半導(dǎo)體器件iv曲線掃描儀器認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,武漢普賽斯是國(guó)內(nèi)醉早生產(chǎn)源表的廠家,產(chǎn)品系列豐富:產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍,產(chǎn)已經(jīng)過了市場(chǎng)的考驗(yàn)、市面...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 12:23:04 對(duì)比
    IV測(cè)試儀iv曲線掃描儀iv測(cè)試儀半導(dǎo)體器件測(cè)試儀半導(dǎo)體器件掃描儀
  • iv掃描儀+分立器件I-V測(cè)試儀

    iv掃描儀+分立器件I-V測(cè)試儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,武漢普賽斯是國(guó)內(nèi)醉早生產(chǎn)源表的廠家,產(chǎn)品系列豐富:產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍,產(chǎn)已經(jīng)過了市場(chǎng)的考驗(yàn)、市面有近5...

    型號(hào): S200B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 11:59:37 對(duì)比
    IV測(cè)試儀iv掃描儀分立器件I-V測(cè)試分立器件測(cè)試儀半導(dǎo)體器件測(cè)試
  • 半導(dǎo)體分立器件iv+cv測(cè)試儀

    武漢普賽斯半導(dǎo)體分立器件iv+cv測(cè)試儀集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下n安級(jí)測(cè)...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 11:49:56 對(duì)比
    IV測(cè)試儀cv測(cè)試儀分立器件測(cè)試儀半導(dǎo)體器件測(cè)試儀半導(dǎo)體測(cè)試儀
  • 半導(dǎo)體電性能IV+CV測(cè)試儀

    半導(dǎo)體電性能IV+CV測(cè)試儀認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,普賽斯五合一高精度數(shù)字源表(SMU)可為高校科研工作者、器件測(cè)試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測(cè)量所需的...

    型號(hào): S200B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 11:47:31 對(duì)比
    IV測(cè)試儀CV測(cè)試儀半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀半導(dǎo)體測(cè)試儀半導(dǎo)體性能測(cè)試儀
  • 分立器件電性能IV測(cè)試儀

    霧化普賽斯儀表分立器件電性能IV測(cè)試儀集電壓、電流的輸入輸出及測(cè)量等功能于一體??勺鳛楠?dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表,還可用作精密電子負(fù)載。其高性...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 11:43:47 對(duì)比
    電性能IV測(cè)試儀分立器件測(cè)試儀電性能測(cè)試儀IV曲線掃描儀半導(dǎo)體測(cè)試儀
  • 半導(dǎo)體器件iv+cv測(cè)試儀

    普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)、大功率激...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 11:42:07 對(duì)比
    cv測(cè)試儀iv測(cè)試儀半導(dǎo)體器件測(cè)試儀半導(dǎo)體測(cè)試儀半導(dǎo)體器件測(cè)試儀
  • 半導(dǎo)體器件I-V測(cè)試系統(tǒng)

    普賽斯歷時(shí)多年打造的高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、S先國(guó)產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品,集電壓、電流的輸入輸出及測(cè)量等功能于一體。可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表,...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 10:45:40 對(duì)比
    半導(dǎo)體器件I-V測(cè)試半導(dǎo)體IV測(cè)試I-V測(cè)試系統(tǒng)半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)器件IV測(cè)試
  • 高電壓+大電流IGBT測(cè)試機(jī)

    IGBT靜態(tài)參數(shù)主要包含:柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發(fā)射極漏電流lGEs、集電極-發(fā)射極截止電流lcEs、集電極-發(fā)射極飽和電壓VcE(sat)...

    型號(hào): PMST-6000... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 10:41:54 對(duì)比
    IGBT測(cè)試機(jī)大電流IGBT測(cè)試機(jī)高電壓IGBT測(cè)試機(jī)igbt測(cè)試設(shè)備
  • 半導(dǎo)體測(cè)試iv參數(shù)用源表

    普賽斯S系列、P系列源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,Y秀的性價(jià)比,良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持,普賽斯儀表是手家國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家,產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代完善,對(duì)標(biāo)2400...

    型號(hào): S200B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 10:23:09 對(duì)比
    半導(dǎo)體測(cè)試iv參數(shù)測(cè)試源表數(shù)字源表高精度源表
  • 半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表高精度源表

    普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下納安級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸...

    型號(hào): S200B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 10:20:56 對(duì)比
    半導(dǎo)體電性能測(cè)試高精度源表數(shù)字源表電性能測(cè)試儀高精度數(shù)字源表
  • 半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試儀表高精度數(shù)字源表

    普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下納安級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 10:17:10 對(duì)比
    半導(dǎo)體器件性能測(cè)試半導(dǎo)體電性能測(cè)試高精度源表數(shù)字源表高精度數(shù)字源表
  • 功率半導(dǎo)體器件igbt靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)

    普賽斯功率半導(dǎo)體器件igbt靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半...

    型號(hào): PMST-1000... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 9:56:22 對(duì)比
    靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)igbt靜態(tài)測(cè)試半導(dǎo)體器件靜態(tài)測(cè)試半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試
  • 半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)

    普賽斯半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 9:33:59 對(duì)比
    分立器件靜態(tài)測(cè)試半導(dǎo)體器件靜態(tài)測(cè)試靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)分立器件測(cè)試設(shè)備
  • 功率器件靜態(tài)測(cè)試機(jī)1700V/1000A

    針對(duì)測(cè)試中存在的測(cè)不準(zhǔn)、測(cè)不全、可靠性以及效率低的問題,普賽斯儀表提供一種基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測(cè)試方案,具有更優(yōu)的測(cè)試能力、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更...

    型號(hào): PMST-1000... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 9:27:00 對(duì)比
    靜態(tài)測(cè)試機(jī)功率器件靜態(tài)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試設(shè)備功率器件測(cè)試設(shè)備靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
  • 半導(dǎo)體參數(shù)IV曲線掃描儀+電性能測(cè)試設(shè)備

    普賽斯儀表推出的更高精度、更大直流SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準(zhǔn)確度提升至±0.03%,直流電流升級(jí)至3A,可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更...

    型號(hào): S200B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 9:25:04 對(duì)比
    半導(dǎo)體參數(shù)IV曲線IV曲線掃描儀電性能測(cè)試電性能測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備
  • 1700V/1000A功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)測(cè)試設(shè)備

    普賽斯1700V/1000A功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)測(cè)試設(shè)備,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、...

    型號(hào): PMST-1000... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 9:16:47 對(duì)比
    靜態(tài)測(cè)試設(shè)備功率器件靜態(tài)測(cè)試靜態(tài)參數(shù)測(cè)試1700V/1000A靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
  • IGBT測(cè)試設(shè)備+igbt測(cè)試儀

    普賽斯IGBT測(cè)試設(shè)備+igbt測(cè)試儀,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)...

    型號(hào): E300 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:56:28 對(duì)比
    IGBT測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試設(shè)備
  • 半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備

    通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,過程既復(fù)雜又耗時(shí),還占用過多測(cè)試臺(tái)的空間。實(shí)施特性參數(shù)分析的工具之一是數(shù)字源表(SMU)。普賽斯歷時(shí)多年打造了高...

    型號(hào): S型 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:46:58 對(duì)比
    半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備參數(shù)測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體測(cè)試儀半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀
  • 半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀

    通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,過程既復(fù)雜又耗時(shí),還占用過多測(cè)試臺(tái)的空間。實(shí)施特性參數(shù)分析的工具之一是半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀之?dāng)?shù)字源表(SMU)。普賽...

    型號(hào): S型 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:42:18 對(duì)比
    半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)分析儀半導(dǎo)體參數(shù)分析半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備

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