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武漢普賽斯儀表有限公司
初級(jí)會(huì)員 | 第3年

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  • 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)

    半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件(DUT)施加電壓或電流,然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng);通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,過程既復(fù)雜又耗時(shí),還...

    型號(hào): S200B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:40:13 對(duì)比
    分立器件測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備分立器件測(cè)試分立器件測(cè)試儀
  • 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀支持高電壓+大電流

    普賽斯半導(dǎo)體參數(shù)分析儀支持高電壓+大電流集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下納安級(jí)測(cè)...

    型號(hào): S型 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:38:20 對(duì)比
    半導(dǎo)體參數(shù)分析參數(shù)分析儀半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試高電壓參數(shù)分析大電流參數(shù)分析
  • 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備

    半導(dǎo)體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)等產(chǎn)品,半導(dǎo)體分立器...

    型號(hào): S100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:31:38 對(duì)比
    分立器件測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體器件測(cè)試半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備分立器件測(cè)試分立器件測(cè)試儀
  • 直流3A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

    直流3A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀就找普賽斯儀表,S系列源表是普賽斯歷時(shí)多年打造的高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、數(shù)字觸摸的帥先國(guó)產(chǎn)化的源表,集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z...

    型號(hào): S型 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:24:11 對(duì)比
    半導(dǎo)體參數(shù)分析參數(shù)分析儀半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試直流參數(shù)分析直流分析儀
  • 半導(dǎo)體特性曲線分析儀

    半導(dǎo)體特性曲線分析儀找武漢普賽斯儀表,普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高...

    型號(hào): S200B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:22:09 對(duì)比
    半導(dǎo)體特性曲線特性曲線分析儀半導(dǎo)體器件測(cè)試儀半導(dǎo)體分析儀特性曲線分析儀
  • 半導(dǎo)體器件特性曲線掃描儀

    半導(dǎo)體器件特性曲線掃描儀認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,普賽斯儀表專注于半導(dǎo)體電性能測(cè)試領(lǐng)域,基于高精度數(shù)字源表綜合實(shí)驗(yàn)平臺(tái),可提供多種實(shí)驗(yàn)測(cè)量環(huán)境,搭配豐富的測(cè)試...

    型號(hào): S200B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:13:54 對(duì)比
    半導(dǎo)體器件特性測(cè)試特性曲線掃描儀半導(dǎo)體器件測(cè)試儀半導(dǎo)體掃描儀半導(dǎo)體器件測(cè)試
  • 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀+IV曲線掃描

    半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀+IV曲線掃描認(rèn)準(zhǔn)武漢普賽斯儀表,普賽斯是國(guó)內(nèi)生產(chǎn)源表的廠家,產(chǎn)品系列豐富:產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍,產(chǎn)品已經(jīng)過了市場(chǎng)的考驗(yàn)、市面有近5...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:12:22 對(duì)比
    分立器件測(cè)試儀分立器件IV掃描IV曲線掃描儀半導(dǎo)體器件測(cè)試半導(dǎo)體器件掃描
  • 半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試儀

    IGBT靜態(tài)參數(shù)主要包含:柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發(fā)射極漏電流lGEs、集電極-發(fā)射極截止電流lcEs、集電極-發(fā)射極飽和電壓VcE(sat)...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:52:06 對(duì)比
    SiC靜態(tài)測(cè)試GaN靜態(tài)測(cè)試靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)第三代半導(dǎo)體測(cè)試
  • 半導(dǎo)體功率器件分析儀

    普賽斯半導(dǎo)體功率器件分析儀集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:45:43 對(duì)比
    功率器件分析儀功率器件靜態(tài)測(cè)試功率器件靜態(tài)參數(shù)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試半導(dǎo)體功率器件分析
  • SiC|GaN第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    SiC|GaN第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī),內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件,可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要,設(shè)...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥488888更新時(shí)間:2024/1/2 7:22:48 對(duì)比
    SiC靜態(tài)測(cè)試GaN靜態(tài)測(cè)試靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)第三代半導(dǎo)體測(cè)試
  • 功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)3500V/4000A

    功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)3500V/4000A集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流...

    型號(hào): PMST 所在地:武漢市參考價(jià): ¥10000更新時(shí)間:2024/1/1 21:45:08 對(duì)比
    功率器件靜態(tài)測(cè)試靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)半導(dǎo)體功率器件測(cè)試靜態(tài)測(cè)試平臺(tái)靜態(tài)測(cè)試設(shè)備
  • 大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

    大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。

    型號(hào): PMST 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/1 21:26:48 對(duì)比
    IGBT靜態(tài)測(cè)試IGBT靜態(tài)參數(shù)靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試
  • 功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可...

    型號(hào): PMST-3000... 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/1 21:11:39 對(duì)比
    靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)功率器件靜態(tài)測(cè)試功率器件靜態(tài)參數(shù)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試
  • 半導(dǎo)體材料IV掃描儀器儀表

    半導(dǎo)體材料IV掃描儀器儀表支持四象限工作,源和負(fù)載,電壓及電流范圍廣,電流100pA~1A,電壓0.3mV~300V,準(zhǔn)確度為0.1%;

    型號(hào): S100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 21:02:07 對(duì)比
    半導(dǎo)體材料IV掃描半導(dǎo)體IV掃描儀IV掃描儀表半導(dǎo)體材料測(cè)試IV測(cè)試儀表
  • IGBT模組動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器

    IGBT模組動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器具有輸出及測(cè)量電壓高(3000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3000V,輸出...

    型號(hào): E300 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/1 20:56:01 對(duì)比
    IGBT器件測(cè)試儀器動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀IGBT器件動(dòng)態(tài)測(cè)試
  • IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器

    IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器具有輸出及測(cè)量電壓高(3000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3000V,輸出...

    型號(hào): E300 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/1 20:54:24 對(duì)比
    IGBT器件測(cè)試儀器靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀IGBT器件靜態(tài)測(cè)試
  • 微納器件電性能測(cè)試用數(shù)字源表

    微納器件電性能測(cè)試用數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,國(guó)產(chǎn)自主研發(fā),*!性價(jià)比高,測(cè)試范圍更廣,輸出電壓高達(dá)300V,支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出報(bào)告,符合大環(huán)境下國(guó)內(nèi)技術(shù)自...

    型號(hào): S100/S200... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 20:40:12 對(duì)比
    源表數(shù)字源表微納器件電性能測(cè)試電性能測(cè)試微納器件測(cè)試
  • 整流橋堆高電流脈沖電源

    整流橋堆高電流脈沖電源具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、...

    型號(hào): HCPL100 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/1 20:38:28 對(duì)比
    脈沖電源高電流脈沖電源脈沖電流源整流橋堆測(cè)試
  • IGBT器件高電流測(cè)試脈沖電源

    IGBT器件高電流測(cè)試脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。設(shè)備...

    型號(hào): HCPL100 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/1 20:29:38 對(duì)比
    脈沖電源高電流脈沖電源IGBT器件高電流測(cè)試高電流測(cè)試脈沖電源
  • 鋰電池充放電特性參數(shù)測(cè)試儀器

    S型觸摸屏數(shù)字源表是對(duì)可充電電池的充電和放電循環(huán)進(jìn)行測(cè)試的理想工具,因?yàn)樗哂芯_地4象限、高功率輸出,能夠精確地測(cè)量電流和電壓。利用單一儀器進(jìn)行電池測(cè)試,不僅...

    型號(hào): S100型 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 20:27:55 對(duì)比
    鋰電池充放電鋰電池特性測(cè)試電池測(cè)試儀器鋰電池iv測(cè)試儀

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