深能級瞬態(tài)譜儀Deep Level Transient Spectroscopy,可以給出與陷阱有關(guān)的密度,熱交叉選擇,能級,空間分布等。通過監(jiān)測半導(dǎo)體結(jié)在不同溫度下的脈沖產(chǎn)生的電容、電流或電荷瞬變,可產(chǎn)生每個深度級別的光譜,每個深能級都有一個峰值。峰的高度與陷阱密度成正比,其符號允許區(qū)分少數(shù)和多數(shù)陷阱,并且溫度軸上的峰的位置導(dǎo)致確定熱發(fā)射和俘獲(活化能和橫截面)的基本參數(shù)。該方法的應(yīng)用導(dǎo)致了新現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn),并為理解半導(dǎo)體器件的材料加工提供了*的工具。
深能級瞬態(tài)譜儀DLTS特點
監(jiān)測半導(dǎo)體電學(xué)性能的有效而靈敏方法
監(jiān)測大塊缺陷或界面缺陷
確定缺陷密度,活化能、熱截面、空間分布、俘獲率和發(fā)射率
適合樣品類型:P-N結(jié),肖特基二極管,MOS結(jié)構(gòu),LEDs,FETs,半導(dǎo)體激光器,高阻和半絕緣材料
高靈敏度:探測大量本體缺陷密度<<109 atoms/cm3.
測量模式包括:C-V, C-T, I-V, I-T, DLTS, DDLTS, CCDLTS, DDLTS/CCDLTS, CTS, ITS, PICTS, QTS, Fast Pulse Interface, High Voltage Interface & Multiple Correlation.
模塊化設(shè)計,方便用戶植入新的功能
專有電容表提供3微秒響應(yīng)時間,快速恢復(fù)過載和高抗泄漏電流。
自動抑制60dB電容
監(jiān)測溫度掃描過程中樣品漏電
快速溫度掃描:100k@8分鐘
寬廣溫度范圍:10K~800K
一次溫度掃描中同時產(chǎn)生8個不同速率窗口的光譜
數(shù)字采集包括16位分辨率、1微秒采樣增量、5年時間跨度和對平均瞬變次數(shù)無限制。
實驗參數(shù)和過程控制
脈寬,脈沖幅值,脈沖周期和DC等
初始溫度,最終溫度,溫度增量和掃描時間
數(shù)據(jù)采集速率和平均的循環(huán)數(shù)
存儲,繪圖,分析光譜