SAL-3000 ALD原子層沉積系統(tǒng)
SAL3000是一款適用于研究型的ALD原子層沉積設(shè)備,該設(shè)備最多可搭載6路前驅(qū)體,適用于4英寸(φ100mm)以下基底材料的鍍膜。該設(shè)備在保持了優(yōu)異的膜厚分布外,還可進一步通過改變鍍膜方向,來進一步提高鍍膜的質(zhì)量。并且該設(shè)備還可搭載互鎖腔體(Load lock Chamber)和手套箱來沉積需要氣氛保護的樣品。
SAL-3000 SAL3000+Load lock chamber
性能及特點:
1.鍍膜質(zhì)量高
·膜厚均勻性≤3% @ 100mm
·對于內(nèi)孔、凹槽與高深寬比結(jié)構(gòu)具有良好的沉積均勻性;
·膜厚可準確控制達一個原子層;
·大面積制程可達到無孔洞薄膜(Pin Hole free)
·的重復(fù)性及穩(wěn)定性
·材料缺陷密度低
·可成長非晶型或結(jié)晶薄膜(選擇溫度)
2.兩種成膜方向可選
·可選擇將薄膜沉積在基底上表面(SAL-3000D)和基底下表面(SAL-3000U),薄膜沉積在基底下表面可降低顆粒附著基底的風(fēng)險。
3. 可搭載互鎖腔體(Load lock chamber)和手套箱
4.圖形用戶界面,觸控操作,簡單易用,可存儲30多種鍍膜方案;
5.主機與控制機箱一體化設(shè)計;
6. 可搭配多種配件:
干式真空泵,臭氧發(fā)生器,尾氣處理裝置,800℃基底加熱器,200℃前驅(qū)體加熱器等,退火設(shè)備等;