應(yīng)用領(lǐng)域：

主要用于微電子芯片、太陽(yáng)能電池、生物芯片、顯示器、光學(xué)、通訊等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。

RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué)、科研院所，微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價(jià)比高，易維護(hù)，處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行RIE反應(yīng)離子刻蝕。具體包括：

u 介電材料（SiO2、SiNx等）

u 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

u III-V材料（GaAs、InP、GaN等）

u 濺射金屬（Au、Pt、Ti、Ta、W等）

u 類金剛石（DLC）