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儀表網(wǎng)>產(chǎn)品庫(kù)>分析檢測(cè)>無(wú)損傷檢測(cè)>其它檢測(cè)儀>九域-非接觸渦流法方阻分析儀
  • 九域-非接觸渦流法方阻分析儀

ER-1000 九域-非接觸渦流法方阻分析儀

參考價(jià)訂貨量

850000

≥1件

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)ER-1000
  • 品牌其他品牌
  • 所在地蘇州市
  • 更新時(shí)間2023-09-25
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限1
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量6
  • 人氣值272
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同類產(chǎn)品

九域半導(dǎo)體成立于2021年,位于江蘇蘇州市。專注于非接觸式半導(dǎo)體計(jì)量分析技術(shù)的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn),攻克被國(guó)外卡脖子技術(shù)。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、科研以及平板材料測(cè)試領(lǐng)域。借助公司*計(jì)量分析測(cè)試技術(shù),為晶圓、碳化硅、硅片、氮化鎵等生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控,提供一整套完整測(cè)試和解決方案。主要產(chǎn)品有:方阻測(cè)試儀、渦流法低電阻率測(cè)試儀、渦流法高電阻率測(cè)試儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭、晶錠電阻率測(cè)試儀、霍爾遷移率測(cè)試儀、少子壽命測(cè)試儀等

 

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產(chǎn)地國(guó)產(chǎn) 加工定制
本儀器為非接觸,非損傷測(cè)試;主要利用渦電流測(cè)試原理,非接觸測(cè)試半導(dǎo)體材料,石墨烯,透明導(dǎo)電膜,碳納米管,金屬等材料的電學(xué)特性。
九域-非接觸渦流法方阻分析儀 產(chǎn)品詳情

一、硬件配置及說(shuō)明

1)     方阻探頭:

由于電阻率范圍較大,需要采用兩中規(guī)格探頭,如下:

中量程(上下探頭,0.02-1.5Ω*cm,厚度約700um

高量程(上下探頭,1.0-100Ω*cm,厚度約700um

2)     PN探頭:

測(cè)試樣片PN類型

3)     多點(diǎn)測(cè)試平臺(tái)

由于方阻探頭采用上下兩個(gè)探頭,因此采用探頭固定,晶圓平移及旋轉(zhuǎn)的方式,來(lái)進(jìn)行多點(diǎn)的面測(cè)試

4)     厚度探頭(選配,可采用手動(dòng)輸入已知厚度的方式)

量程(200um - 1000um),主要用于將方阻探頭數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為電阻率

5)     OCR晶圓ID識(shí)別(選配)

自動(dòng)識(shí)別Wafer編碼信息

二、主要技術(shù)參數(shù)

參數(shù)

探頭

說(shuō)明

組成

方阻探頭(中)

(高)

方法:非接觸式渦流法(兩組)

范圍:0.1 - 100Ω*cmTk750um

重復(fù)性:<1%

示值誤差:<±3%

單點(diǎn)測(cè)量時(shí)間:< 1

去邊:7mm

型號(hào):ER-PN-1000

(九域半導(dǎo)體科技)

PN探頭

方法:非接觸式SPV

單點(diǎn)測(cè)量時(shí)間:< 1

誤判斷 < 0.02%

測(cè)試平臺(tái)

軟件控制啟動(dòng),自動(dòng)移動(dòng)至探頭待測(cè)位置,設(shè)備自動(dòng)測(cè)量

厚度探頭

(選配)

方法:電容法

范圍:200um - 1000um

重復(fù)性: <1%

示值誤差:<±5um

單點(diǎn)測(cè)量時(shí)間:< 1

OCR

(選配)

廠商:美國(guó) COGNEX    

型號(hào):IN-SIGHT 1740系列晶圓讀碼器


主機(jī)

DELLwindows 10+23寸顯示屏

專用數(shù)據(jù)分析軟件(記錄、質(zhì)控、Mapping

可接入MES系統(tǒng)

測(cè)量過(guò)程

1、 放置Wafer至樣品臺(tái)

2、 軟件設(shè)置測(cè)量點(diǎn)位

3、軟件控制啟動(dòng),自動(dòng)移動(dòng)至探頭待測(cè)位置,設(shè)備自動(dòng)測(cè)量

4、數(shù)據(jù)(包括PN 和 方阻、厚度、電阻率)、記錄、質(zhì)控、輸出文件等

5、根據(jù)客戶需求可定制MES系統(tǒng)

Wafer信息

尺寸:4-12

厚度典型范圍:200um-1000um

碎片率

<1/10000(有暗裂等機(jī)臺(tái)外部因素引起的碎片除外)



月平均時(shí)間

平均時(shí)間>685H30天計(jì)算)

額定功率

36W(數(shù)據(jù)分析模組) + 250W(電腦)

產(chǎn)能

每片晶片測(cè)試37個(gè)點(diǎn),用時(shí)60s(不包括換片操作時(shí)間)

環(huán)境溫度

23 ±5°C

電源要求

額定電壓(220±22VAC  頻率(50±1Hz

提供標(biāo)樣

標(biāo)準(zhǔn)片:1片(4寸),電阻率范圍1Ω*cm - 10Ω*cm

驗(yàn)收判定

n  測(cè)試條件:設(shè)備正常運(yùn)行后,不低于10片的Wafer進(jìn)行測(cè)試

n  設(shè)備性能:滿足上述量程內(nèi)重復(fù)性及準(zhǔn)確性標(biāo)準(zhǔn)

三、     軟件功能


3.1系統(tǒng)預(yù)裝正版Windows 10專業(yè)版操作系統(tǒng)

3.2設(shè)備安裝自主產(chǎn)權(quán)測(cè)試應(yīng)用軟件

3.3測(cè)試方塊電阻,電導(dǎo),電阻率(須輸入厚度數(shù)據(jù))

3.4軟件具備SPC統(tǒng)計(jì)功能

3.5可輸入并保存設(shè)備編號(hào),批次號(hào),樣品號(hào),操作員號(hào)

3.6可生成PDF版測(cè)試報(bào)告,報(bào)告包含SPC統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)以及掃描圖

3.7可調(diào)用/新建測(cè)試菜單

3.8用戶可設(shè)定測(cè)試上限,下限值

3.9可記錄樣品測(cè)試開(kāi)始時(shí)間,結(jié)束時(shí)間

3.10所有測(cè)試信息至少保留1個(gè)月以上


四、儀器使用環(huán)境

l  環(huán)境溫度:23 ±5°C

l  環(huán)境濕度:(65±20%RH

l  電源要求:額定電壓(220±22VAC  頻率(50±1Hz

五、安裝與驗(yàn)收

1)     物流運(yùn)輸;

2)     儀器至甲方后,乙方在得到甲方通知后(最遲甲方簽收儀器后5個(gè)工作日),上門為甲方安裝通電并協(xié)助甲方驗(yàn)收;

3)     驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn):以本協(xié)議第2項(xiàng)技術(shù)參數(shù)中的“驗(yàn)收判定”內(nèi)容實(shí)施現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)收;

4)     驗(yàn)收合格后甲方為乙方簽字確認(rèn)。

六、技術(shù)支持與培訓(xùn)

1)     乙方提供7*12h在線技術(shù)支持,2小時(shí)內(nèi)回饋;

2)     乙方負(fù)責(zé)在驗(yàn)收過(guò)程中對(duì)甲方技術(shù)人員現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)培訓(xùn);

3)     在質(zhì)保期內(nèi),乙方為甲方提供全套免費(fèi)技術(shù)服務(wù),不限于更換備件等;質(zhì)保期后,若非人為損壞儀器的維修服務(wù),乙方只收取硬件成本費(fèi)用;

4)     乙方免費(fèi)協(xié)助甲方將儀器數(shù)據(jù)對(duì)接至甲方MES系統(tǒng),若需增加硬件則無(wú)需甲方承擔(dān)費(fèi)用。

七、質(zhì)保期

本儀器,乙方提供自驗(yàn)收之日起1質(zhì)保;

八、發(fā)貨備件清單

序號(hào)

名稱

數(shù)量

1

測(cè)試儀

1臺(tái)

2

電源線

1

3

電腦(Windows正版、數(shù)據(jù)GHOST備份)

1臺(tái)

4

通訊線

1

5

Windows   10專業(yè)版操作系統(tǒng)

1

6

專用測(cè)試軟件

1

7

說(shuō)明書

1

8

出廠合格證

1個(gè)



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