等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-儀表網(wǎng)

公司介紹主營產(chǎn)品

上海德竹芯源科技有限公司是一家專注于功率器件、光電器件、射頻器件、量子器件、MEMS傳感器領(lǐng)域的設(shè)備銷售、系統(tǒng)集成、設(shè)備國產(chǎn)化的公司。主要為高校、研究所、中試量產(chǎn)線及晶圓FAB廠提供半導(dǎo)體工藝設(shè)備、檢測設(shè)備、封裝設(shè)備、測試設(shè)備。目前公司已成為國內(nèi)少數(shù)幾家專業(yè)提供半導(dǎo)體工藝、檢測、封裝、測試整體解決方案的企業(yè)。公司主要成員為復(fù)旦大學(xué)、上海微系統(tǒng)所等半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)博士，擁有一支經(jīng)驗豐富、技術(shù)過硬的團(tuán)隊。能夠出色地完成售前售中、售后的服務(wù)。目前公司已與眾多國際半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)建立了良好的合作關(guān)系(如:EVG、SAWNATEC、SENTECH、PICOSUN、SYSKEY、 Mavemn Panalyrical、PHL-CHINA、TEMPRESS,ROHDE&SCHWARZ、MPI等)，致力于根據(jù)用戶的科研方向和量產(chǎn)的器件類別提供相應(yīng)的全套設(shè)備選型和工藝整體解決方案。

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產(chǎn)品簡介在線詢價

等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)是一種利用等離子體為沉積反應(yīng)提供能量的化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)。PECVD可替代傳統(tǒng)CVD在較低的溫度下沉積各種薄膜，且能保證較高的薄膜質(zhì)量。

等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 產(chǎn)品詳情

等離子體增強化學(xué)氣相沉積

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - PECVD

Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition - ICPCVD

PECVD技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用比其他CVD技術(shù)更為廣泛。PECVD可以在較低的工作溫度（小于350°C）下沉積均勻的氧化硅(SiO₂)和氮化硅(Si₃N₄)薄膜，石墨烯薄膜等，CVD技術(shù)相比于PVD技術(shù)具備更好的階梯覆蓋性和孔隙高填充特性。SYSKEY的系統(tǒng)能精確控制反應(yīng)壓力和襯底溫度等關(guān)鍵工藝參數(shù)以制備出高質(zhì)量的薄膜。平板式等離子體源適用于制備氧化硅(SiO₂)和氮化硅(Si₃N₄)薄膜，平板電極也可以用ICP線圈替代，產(chǎn)生的高密度等離子體可實現(xiàn)二維材料沉積。

ICP-CVD原理示意圖

二維材料鍍膜目前研究和應(yīng)用比較火熱。矽碁科技在ICP-CVD的基礎(chǔ)上，針對二維材料開發(fā)出適用于石墨烯生長，硫系、硒系二維材料生長設(shè)備，可實現(xiàn)高品質(zhì)二維材料制備。

ICP-CVD石墨烯鍍膜

ICP-CVD硫化/硒化鍍膜

應(yīng)用領(lǐng)域：

● SiOx、SiNx、α-Si薄膜

● DLC超硬鍍膜

● 有機(jī)顯示、有機(jī)鈣鈦礦太陽能電池領(lǐng)域薄膜封裝

● CIGS太陽能電池硒化

● 醫(yī)療領(lǐng)域相關(guān)產(chǎn)品

● 二維材料鍍膜（Graphene, MoS₂, MoSe₂, WS₂, WSe₂等）

應(yīng)用展示：

配置特點：

● 可加載 12 英寸直徑的晶圓

● 薄膜均勻度優(yōu)于±5%

● 最多 10 路氣體管路，質(zhì)量流量精確控制

● 基板可加熱至 700°C，根據(jù)工藝制程定制

● 直接電容耦合等離子體（平板式）、遠(yuǎn)程電容耦合等離子體（CCP）、電感耦合等離子體（ICP）

● 可配備等離子體自清潔功能

● 可選配單片或多片加載腔

● 可與手套箱集成，也可以與其他CVD設(shè)備集成

關(guān)鍵詞：手套箱

熱門產(chǎn)品

產(chǎn)品名稱	參考價	地區(qū)	公司名稱	更新時間
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