激光鍍膜設(shè)備
樣品傳遞機(jī)構(gòu)、樣品架、旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)、真空排氣、真空測(cè)量、電器控制、配氣、計(jì)算機(jī)控制等各部分組成。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所進(jìn)行薄膜材料的科研與小批量制備。
簡(jiǎn)單介紹：
激光鍍膜設(shè)備系統(tǒng)由真空腔室（主濺射室、進(jìn)樣室）、樣品傳遞機(jī)構(gòu)、樣品架、旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)、真空排氣、真空測(cè)量、電器控制、配氣、計(jì)算機(jī)控制等各部分組成。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所進(jìn)行薄膜材料的科研與小批量制備。
詳情介紹：
激光鍍膜設(shè)備用途：
用于生長(zhǎng)光學(xué)晶體、鐵電體、鐵磁體、超導(dǎo)體和有機(jī)化合物薄膜材料，適用于生長(zhǎng)高熔點(diǎn)、多元素及含有氣體元素的復(fù)雜層狀超晶格薄膜材料。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所進(jìn)行薄膜材料的科研與小批量制備。
技術(shù)參數(shù)：
主真空室 | 球型結(jié)構(gòu)，尺寸Ø 450mm | |
進(jìn)樣室 | 圓筒型立式結(jié)構(gòu)，尺寸Ø 150x 150mm | |
真空系統(tǒng)配置 | 主真空室 | 分子泵與機(jī)械泵，閥門 |
進(jìn)樣室 | 分子泵與機(jī)械泵（與主真空室共用），閥門 | |
極限壓力 | 主真空室 | ≦6*10-6Pa（經(jīng)烘烤除氣后） |
進(jìn)樣室 | ≦6*10-3Pa（經(jīng)烘烤除氣后） | |
恢復(fù)真空時(shí)間 | 主真空室 | 20分鐘可達(dá)到5*10-3Pa（系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_始抽氣） |
進(jìn)樣室 | 20分鐘可達(dá)到5*10-3Pa（系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_始抽氣） | |
旋轉(zhuǎn)靶臺(tái) | 靶材*大尺寸約60mm；可一次安裝4塊靶材，可實(shí)現(xiàn)公轉(zhuǎn)換靶;每塊靶材可自轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5~60轉(zhuǎn)/分
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基片加熱臺(tái) | 樣品尺寸 | Ø51 |
運(yùn)動(dòng)方式 | 基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5~60轉(zhuǎn)/分 | |
加熱溫度 | 基片加熱zui高溫度800Ｃ±1 C，可控可調(diào) | |
氣路系統(tǒng) | 質(zhì)量流量控制器1路，充氣閥1路 | |
可選部件 | 激光器裝置 | 配相干201激光器 |
激光束掃描裝置 | 二維掃描機(jī)械平臺(tái)，執(zhí)行兩自由度掃描 | |
計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng) | 控制的內(nèi)容主要有公轉(zhuǎn)換靶，靶自轉(zhuǎn)，樣品自轉(zhuǎn)、樣品控溫、激光束掃描等 | |
設(shè)備占地面積 | 主機(jī) | 1800 * 1800mm2 |
電控柜 | 700 *700mm2（1個(gè)）
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