真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)
永磁磁控濺射靶（三個(gè)靶）、單基片加熱臺(tái)、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、電控系統(tǒng)及安裝機(jī)臺(tái)等部分組成。廣泛應(yīng)用于科研院所，實(shí)驗(yàn)室制備單層或多層薄膜，以及新材料新工藝研究。
簡(jiǎn)單介紹：
真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)主要由濺射真空室、永磁磁控濺射靶（三個(gè)靶）、單基片加熱臺(tái)、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、電控系統(tǒng)及安裝機(jī)臺(tái)等部分組成。廣泛應(yīng)用于科研院所，實(shí)驗(yàn)室制備單層或多層薄膜，以及新材料新工藝研究。
詳情介紹：
真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)設(shè)備用途：
用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。
技術(shù)參數(shù)：
真空室 | 圓筒型前開門結(jié)構(gòu)，尺寸Ø450×40mm | |
真空系統(tǒng)配置 | 復(fù)合分子泵、機(jī)械泵、氣動(dòng)閘板閥、進(jìn)口SMC氣缸節(jié)流閥 | |
極限壓力 | ≤6.6 *10-6 Pa。（經(jīng)烘烤除氣后） | |
恢復(fù)真空時(shí)間 | 25 分鐘可達(dá)到≤6.6×10-6 Pa。（短時(shí)間撰茲大氣并充入干燥氮?dú)夂箝_始抽氣） | |
磁控靶組件 | 永磁靶三套；靶材尺寸Ø60mm（其中一個(gè)可濺射磁性材料）；各靶射頻灘射和直流裁射兼容；靶內(nèi)水冷；三個(gè)靶可共同折向上面的樣品中心；靶與樣品距離 90~130mm可調(diào)；每個(gè)靶配進(jìn)口 SMC 旋轉(zhuǎn)氣動(dòng)擋板 | |
單基片加熱臺(tái) | 樣品尺寸 | Ø4英寸 |
運(yùn)動(dòng)方式 | 基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速 0－30 轉(zhuǎn)/分 | |
加熱 | 進(jìn)口加熱絲加熱，zui高加熱溫度 600℃ ±1℃ | |
擋板形式 | 進(jìn)口 SMC 轉(zhuǎn)角氣缸控制 | |
氣路系統(tǒng) | 質(zhì) 量 流 量 控制器 2 路 | |
計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng) | 采用 PLC ＋工控機(jī)＋觸摸屏全自動(dòng)控制方式 | |
可選配件 | 膜厚儀、氣泵、水冷循環(huán)機(jī) | |
設(shè)備占地面積 | 主機(jī) | I000×1800mm2 |
電控柜 | 900×600mm2 | |
