電子束蒸發(fā)鍍膜儀
E型電子槍、熱蒸發(fā)電極、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、電控系統(tǒng)及安裝機(jī)臺(tái)等部分組成?？梢詮V泛應(yīng)用于制備高純薄膜和導(dǎo)電玻璃等各種光學(xué)材料薄膜。
簡(jiǎn)單介紹：
電子束蒸發(fā)鍍膜儀系統(tǒng)主要由蒸發(fā)真空室、E型電子槍、熱蒸發(fā)電極、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、電控系統(tǒng)及安裝機(jī)臺(tái)等部分組成。可以廣泛應(yīng)用于制備高純薄膜和導(dǎo)電玻璃等各種光學(xué)材料薄膜。
詳情介紹：
電子束蒸發(fā)鍍膜儀設(shè)備用途：
用于制備導(dǎo)電薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、光學(xué)薄膜等，廣泛應(yīng)用于大專(zhuān)院校、科研機(jī)構(gòu)的科研及小批量生產(chǎn)。
技術(shù)參數(shù)：
結(jié)構(gòu)形式 | 真空室采用U型箱體前開(kāi)門(mén)，后置抽氣系統(tǒng) | |
真空室 | 500×500×600mm2 | |
真空系統(tǒng)配置 | 復(fù)合分子泵、機(jī)械泵、閘板閥 | |
極限壓力 | ≤6. 67×10-5Pa (經(jīng)烘烤除氣后）； | |
恢復(fù)真空時(shí)間 | 45分鐘可達(dá)到6. 67×10-4Pa (系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥 氮?dú)夂?/span>） | |
電子束 蒸發(fā)源 | e型電子槍 | 陽(yáng)極電壓：6kv、8kv; |
數(shù)量（套） | 1 | |
坩堝 | 水冷式坩堝，四穴設(shè)計(jì)，每個(gè)容量11ml | |
功率 | 0一6 KW可調(diào) | |
電阻蒸發(fā)源 (可選） | 電壓 | 5、10V |
功率 | 電流300A，*大輸出功率3KW | |
數(shù)量 | 1套，可切換 | |
水冷電極 | 3根，組成2個(gè)蒸發(fā)舟 | |
工件架類(lèi)型及尺寸 | 基片尺寸：可放置4”基片，加熱zui高溫度800℃±1℃ ,基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5~60轉(zhuǎn)/分 基片與蒸發(fā)源之間距離300~350mm可調(diào)，手動(dòng)控制樣品擋板組件1套 | |
氣路系統(tǒng) | 200SCCM質(zhì)量流量控制器1路 | |
石英晶振膜厚控制儀 | 監(jiān)測(cè)膜厚顯示范圍：0~99 u 9999A; | |
設(shè)備占地面積 | 主機(jī) | 900×800mm2 |
電控柜 | 800×800mm2 (兩個(gè)） | |
