兼顧提高芯片抗彎強(qiáng)度和維持外質(zhì)吸雜（Gettering）功能的磨輪
加工對(duì)象: Silicon wafer, etc
隨著晶圓的超薄化發(fā)展，存在著降低外質(zhì)吸雜效果的威脅。Gettering DP采用迪思科的干式拋光工藝，通過(guò)去除內(nèi)部應(yīng)力，即提高了芯片抗彎強(qiáng)度又維持了外質(zhì)吸雜功能。由于干式拋光工藝不使用化學(xué)藥品，在減輕環(huán)境負(fù)荷的同時(shí)，與使用研磨液以及化學(xué)藥品的拋光工藝相比，能夠以更簡(jiǎn)便的操作完成薄片晶圓的研磨。
Gettering DP 的種類(lèi)
根據(jù)用途，可提供2種類(lèi)型的GetteringDP 。與標(biāo)準(zhǔn)的GA類(lèi)型相比，因?yàn)镸Z類(lèi)型的DP磨輪更能提高晶圓的抗彎強(qiáng)度，所以能夠?qū)崿F(xiàn)更薄的晶圓拋光加工。但是，MZ類(lèi)型需要根據(jù)加工物的不同，詳細(xì)選定加工條件，具體本公司的銷(xiāo)售人員。
| GA*** type | 標(biāo)準(zhǔn)型GetteringDP |
| MZ*** type | 與GA類(lèi)型相比，提高了抗彎強(qiáng)度，能夠?qū)崿F(xiàn)更薄的晶圓拋光加工 |
實(shí)驗(yàn)結(jié)果
抗彎強(qiáng)度比較（三點(diǎn)式抗彎強(qiáng)度測(cè)量法）
* Finish thickness: 25 µm Process: DBG （Dicing Before Grinding）
外質(zhì)吸雜效果
于研磨后的鏡面晶圓經(jīng)強(qiáng)制污染后從反面析出的Cu濃度高于1.0E11的結(jié)果相比， Gettering DP研磨后的晶圓從反面析出的Cu濃度卻低于檢出下限值， 由此可知Gettering DP面具有外質(zhì)吸雜效果。
Cu強(qiáng)制污染前后的TXRF測(cè)量結(jié)果（Φ8英寸鏡面晶圓）
為了定量測(cè)定外質(zhì)吸雜效果， 將經(jīng)過(guò)Cu強(qiáng)制污染的樣本以350 ℃加熱3小時(shí)后，使用TXRF（全反射式X光熒光光譜儀）進(jìn)行分析。以Gettering DP的研磨晶圓為例， 研磨面經(jīng)過(guò)Cu強(qiáng)制污染并擴(kuò)散后，使用TXRF分析反面（鏡面）析出的Cu量。
※0.5E10 atoms/cm2以下為檢出極限。
技術(shù)規(guī)格
